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유기 유전박막을 구비한 분자 전자 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015081982
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하부 도전층과 분자 활성층과의 사이에 형성된 유기 유전박막을 포함하는 분자 전자 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자는 기판과, 기판 위에 형성되어 있는 유기 유전박막과, 유기 유전박막 위에 형성되어 있고 전하 트랩 사이트를 가지는 분자 활성층과, 분자 활성층 위에 형성된 전극을 포함한다. 유기 유전박막은 전극 또는 Si층 위에 자기조립 방법으로 고정화될 수 있다. 유기 유전박막은 상호 수소 결합되어 있는 제1 분자층 및 제2 분자층을 포함할 수 있다. 유기 유전박막은 M'-R-T (식중, M'은 티올 유도체 또는 실란 유도체이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C20의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -NH2 또는 -COOH)로 표시되는 구조를 가지는 유기 화합물이 기판상에 자기조립됨으로써 형성될 수 있다. 분자 전자 소자, 유기 유전박막, 아민알킬티올, 분자 활성층, 자기조립
Int. CL H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 51/0595(2013.01) H01L 51/0595(2013.01) H01L 51/0595(2013.01) H01L 51/0595(2013.01)
출원번호/일자 1020060103137 (2006.10.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0848312-0000 (2008.07.18)
공개번호/일자 10-2008-0022024 (2008.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20080724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060085375   |   2006.09.05
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.23)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 대전 서구
2 방경숙 대한민국 대전 유성구
3 박종혁 대한민국 대구 동구
4 이정현 대한민국 대전 유성구
5 최낙진 대한민국 대구 북구
6 구자룡 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0765309-99
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2006.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-5083434-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058908-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0562756-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0885199-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0885200-37
8 보정요구서
Request for Amendment		 2008.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0134260-33
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0253439-75
10 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2008.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0050984-79
11 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0348423-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과, 상기 기판 위에 자기조립되어 있는 유기 유전박막과, 상기 유기 유전박막 위에 형성되어 있고 전하 트랩 사이트(trap site)를 가지는 유기물로 이루어지는 분자 활성층과, 상기 분자 활성층 위에 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 유기 유전박막은 다음식, M-R-T(식중, M은 S 함유기 또는 Si 함유기이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C20의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -SH, -NH2 또는 -COOH) 로 표시되는 분자 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 M은 -S- 인 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 기판은 금속 전극을 포함하고, 상기 유기 유전박막은 상기 금속 전극 위에 자기조립되어 있는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
5 5
제2항에 있어서, 상기 M은 ≡Si- 인 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 기판은 Si층을 포함하고, 상기 유기 유전박막은 상기 Si층 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
7 7
제2항에 있어서, 상기 유기 유전박막은 각각 상기 분자 구조로 이루어지는 제1 분자층 및 제2 분자층으로 이루어지는 이중 분자층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 분자층 및 제2 분자층은 -NH2 기들 사이의 수소 결합, 또는 -COOH 기들 사이의 수소 결합에 의해 상호 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 분자 활성층은 -COOH, COONa, 및 석신 이미딜 에스테르기 (succin imidyl ester group)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 기와 π 전자를 가지는 유기 화합물이 상기 유기 유전박막에 화학 결합된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 분자 활성층은 다음 구조들 중에서 선택되는 어느 하나의 구조를 가지는 분자가 상기 유기 유전박막 위에 화학 결합된 분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
11 11
제4항에 있어서, 상기 금속 전극은 금, 백금, 은, 및 크롬으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 전극은 금, 백금, 은, 크롬, 및 도핑된 폴리실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
13 13
제4항에 있어서, 상기 금속 전극, 유기 유전박막, 분자 활성층, 및 전극은 상기 금속 전극과 상기 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 또는 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
14 14
제4항에 있어서, 상기 금속 전극, 유기 유전박막, 분자 활성층, 및 전극은 상기 금속 전극과 상기 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
15 15
제6항에 있어서, 상기 Si층, 유기 유전박막, 분자 활성층, 및 전극은 상기 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 Si층에 있는 채널로부터 전달되는 전하에 의해 소정의 전기 신호를 저장하는 전하 트랩형 메모리 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
16 16
기판상에 유기 유전박막을 형성하는 단계와, 상기 유기 유전박막 위에 전하 트랩 사이트를 가지는 유기물로 이루어지는 분자 활성층을 형성하는 단계와, 상기 분자 활성층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 유기 유전박막을 형성하는 단계는 상기 기판 표면에 유기 화합물을 자기조립시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 유기 유전박막을 형성하는 단계는다음식, M'-R-T(식중, M'은 티올 유도체 또는 실란 유도체이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C20의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -NH2 또는 -COOH) 로 표시되는 구조를 가지는 유기 화합물이 용해된 용매 내에 상기 기판을 딥핑(dipping)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 유기 유전박막을 형성하기 전에 상기 기판 위에 금속 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 유기 유전박막을 형성하는 단계는 다음식, M'-R-T(식중, M'은 티올 유도체이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C20의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -NH2 또는 -COOH) 로 표시되는 구조를 가지는 유기 화합물이 용해된 용매 내에 상기 금속 전극이 형성된 기판을 딥핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
20 20
제18항에 있어서, 상기 유기 유전박막을 형성하는 단계는 무수 및 무산소 분위기하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
21 21
제19항에 있어서, 상기 유기 유전박막을 형성하는 단계는 상기 식 M'-R-T 으로 표시되는 제1 유기 화합물을 상기 금속 전극에 가지조립시켜 제1 분자층을 형성하는 단계와, 상기 식 M'-R-T 으로 표시되는 제2 유기 화합물을 상기 제1 유기 화합물에 결합시켜 제2 분자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 제1 분자층 및 제2 분자층은 -NH2 기들 사이의 수소 결합, 또는 -COOH 기들 사이의 수소 결합에 의해 상호 결합되는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
23 23
제21항에 있어서, 상기 제2 분자층 형성 단계는 상기 제1 분자층 형성 단계와 인시츄(in-situ)로 형성되는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
24 24
제16항에 있어서, 상기 유기 유전박막이 형성된 후 상기 유기 유전박막의 상면에는 티올 유도체 기가 노출되어 있고, 상기 분자 활성층을 형성하는 단계는 -COOH, COONa, 및 석신 이미딜 에스테르기 중에서 선택되는 어느 하나의 기와 π 전자를 가지는 유기 화합물을 상기 유기 유전박막의 상면에 존재하는 티올 유도체 기에 화학 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07759677 US 미국 FAMILY
2 US20080054256 US 미국 FAMILY
3 US20100297808 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2008054256 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2010297808 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7759677 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.