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인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저

기술번호 : KST2015082038
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 부밴드 천이 반도체 레이저(intersubband transition laser)에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성된 제 1 클래딩층, 활성영역 구조층 및 제 2 클래딩층을 포함하며, 활성영역 구조층이 반도체 브로큰 에너지 밴드갭(broken energy bandgap)을 가지는 양자우물층 및 양자장벽층들이 다수 반복 적층된 구조로 이루어져 활성영역 구조층 내에서 캐리어(carrier)들의 부밴드간 방사 천이 (intersubband radiative transition) 및 인터밴드 공진터널링(interband tunneling) 현상이 연속적이며, 반복적으로 일어 나는 cascade 모드로 작동하는 것을 특징으로 하는 인터밴드 공진터널링 부밴드 천이 반도체 레이저에 관한 것으로, 단순하고 컴팩트한 구조에서 고출력이 가능한 레이저 구조이다.반도체 레이저, 부밴드 천이, 인터밴드 공진 터널링, 브로큰 밴드갭, 활성 영역
Int. CL	H01S 5/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020060125065 (2006.12.08)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0842288-0000 (2008.06.24)
공개번호/일자	10-2008-0053094 (2008.06.12) 문서열기
공고번호/일자	(20080630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.12.08)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김경옥	대한민국	서울 강남구
2	김인규	대한민국	대전 유성구
3	표정형	대한민국	서울 마포구
4	장기석	대한민국	대전 대덕구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.12.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0912765-00
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.10.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.11.02	수리 (Accepted)	9-1-2007-0064296-73
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.11.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0638091-66
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.01.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0069356-67
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.01.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0069358-58
7	등록결정서 Decision to grant	2008.05.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0256512-72
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 반도체 기판 상에 형성된 제 1 클래딩층, 활성영역구조층 및 제 2 클래딩층을 포함하며, 상기 활성영역 구조층은 양자 우물층과 양자 장벽층이 복수회 반복적층되며, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층이 브로큰 밴드갭 에너지(broken bandgap energy)를 갖는 이종구조 (heterostructure)로, 인터밴드 터널링이 가능하며, 상기 반도체 기판의 하부와 상기 클래딩 층의 상부에 각각 구비되는 전극들을 포함하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저(interband tunneling subband transition semiconductor LASER)
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 전극들에 전원을 인가하였을 때 상기 활성영역 구조층 내에서 캐리어의 부밴드 천이(subband transition) 및 인터밴드 공진 터널링(interband resonant tunneling)이 연속적으로 발생하는 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 양자 우물층이 InAs, InGaAsSb, InAlSb, 또는 InAsSb를 포함하는 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
4	4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 양자 장벽층이 GaSb, GaInSb, GaSb, GaInSb, 또는 GaAlSb를 포함하는 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
5	5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 부밴드 천이 및 인터밴드 공진 터널링이 캐스케이드(cascade) 방식으로 일어나는 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
6	6 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 각 양자 우물층이 전도대의 최소 에너지가 상이한 두 물질층을 포함하고, 상기 양자 장벽층의 가전자대의 최대 에너지가 상기 두 물질층의 최소 에너지 중 큰 쪽의 최소 에너지보다 높은 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
7	7 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 각 양자 장벽층이 가전자대의 최대 에너지가 상이한 두 물질층을 포함하고, 상기 양자 우물층의 전도대의 최소 에너지가 상기 두 물질층의 최대 에너지 중 작은 쪽의 최대 에너지보다 낮은 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
8	8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 각 양자 우물층이 전도대의 최소 에너지가 상이한 두 물질층을 포함하고, 상기 각 양자 장벽층이 가전자대의 최대 에너지가 상이한 두 물질층을 포함하고, 상기 양자 우물층의 두 물질층의 전도대의 최소 에너지 중 큰 쪽의 최소 에너지가 상기 양자 장벽층의 두 물질층의 가전자대의 최대 에너지 중 작은 쪽의 최대 에너지보다 낮은 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
9	9 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 각 양자 우물층이 전도대의 최소 에너지가 상이한 두 물질층을 포함하고, 상기 각 양자 장벽층이 세 개의 물질층을 포함하고 상기 양자 장벽층의 세 물질층 중 가운데 물질층의 가전자대의 최대 에너지가 다른 두 물질 층의 가전자대의 최대 에너지보다 낮고, 상기 양자 우물층의 두 물질층의 전도대의 최소 에너지 중 큰 쪽의 최소 에너지가 상기 양자 장벽층의 세 물질층의 가전자대의 최대 에너지 중 가장 작은 쪽의 최대 에너지보다 낮은 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
10	10 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 각 양자 장벽층이 가전자대의 최대 에너지가 상이한 두 물질층을 포함하고, 상기 각 양자 우물층이 세 개의 물질층을 포함하고 상기 양자 우물층의 세 물질층 중 가운데 물질층의 전도대의 최소 에너지가 다른 두 물질 층의 전도대의 최소 에너지보다 낮고, 상기 양자 장벽층의 두 물질층의 가전자대의 최대 에너지 중 작은 쪽의 최대 에너지가 상기 양자 우물층의 세 물질층의 전도대의 최소 에너지 중 가장 큰 쪽의 최소 에너지보다 높은 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
11	11 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 양자 우물층이 다중 양자우물 구조 또는 초격자 구조의 복합구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저
12	12 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 클래딩층과 상기 활성영역 구조층 사이에 제 2 웨이브 가이드층을 더 포함하고,상기 제 1 클래딩층과 상기 활성영역 구조층 사이에 제 1 웨이브 가이드층을 더 포함하고, 상기 반도체 기판과 상기 제 1 클래딩층 사이에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP01931001	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	EP01931001	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
3	EP01931001	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
4	US07756176	US	미국	FAMILY
5	US20080151956	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	AT504106	AT	오스트리아	DOCDBFAMILY
2	DE602007013518	DE	독일	DOCDBFAMILY
3	EP1931001	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
4	EP1931001	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
5	EP1931001	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
6	US2008151956	US	미국	DOCDBFAMILY
7	US7756176	US	미국	DOCDBFAMILY

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0842288-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20061208 출원 번호 : 1020060125065 공고 연월일 : 20080630 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080514 청구범위의 항수 : 3 유별 : H01S 5/00 발명의 명칭 : 인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저 존속기간(예정)만료일 : 20160625

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	303,000 원	2008년 06월 25일	납입
제 4 년분	금 액	304,000 원	2011년 06월 09일	납입
제 5 년분	금 액	304,000 원	2012년 06월 11일	납입
제 6 년분	금 액	106,000 원	2013년 05월 27일	납입
제 7 년분	금 액	214,000 원	2014년 05월 29일	납입
제 8 년분	금 액	214,000 원	2015년 05월 27일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.12.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0912765-00
2	선행기술조사의뢰서	2007.10.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.11.02	수리 (Accepted)	9-1-2007-0064296-73
4	의견제출통지서	2007.11.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0638091-66
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.01.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0069356-67
6	[명세서등 보정]보정서	2008.01.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0069358-58
7	등록결정서	2008.05.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0256512-72
8	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

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