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다음 식의 루쎄니움-터피리딘 디설파이드 착화합물로 이루어지는 분자 전자소자용 화합물
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제1항에 있어서, 상기 루쎄니움-터피리딘 디설파이드 착화합물은 다음 식으로 표시되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자용 화합물
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테트라메틸피페리딜리튬 화합물, 메틸 터피리딘 화합물 및 Br(CH2)m-1Br (m은 1 ∼ 20의 정수)을 반응시켜 브로모알킬 터피리딘 화합물 (알킬은 -(CH2)m-)을 합성하는 단계와, 상기 브로모알킬 터피리딘 화합물로부터 소듐 싸이오설페이트 펜타하이드레이트와 알칸싸이올 (알칸은 CH3(CH2)n-, n은 1 ∼ 19의 정수)을 이용하여 -(CH2)m-S-S-(CH2)nCH3 기를 가지는 디설파이드 터피리딘 화합물을 합성하는 단계와, 상기 디설파이드 터피리딘 화합물을 루쎄니움 터피리딘 트리클로라이드 착화합물과 반응시켜 루쎄니움 터피리딘 디설파이드 착화합물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자용 화합물의 제조 방법
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제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 형성된 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 개재되어 있는 분자 활성층을 포함하고, 상기 분자 활성층은 제1항에 따른 분자 전자소자용 화합물이 상기 제1 전극에 자기조립되어 있는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제14항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 루쎄니움-터피리딘 디설파이드 착화합물의 디설파이드기 (-S-S-)를 정착기로 하여 상기 제1 전극에 자기조립되어 있는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제14항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극에 각각 자기조립되어 있는 -S-(CH2)m-Cy 기 (Cy는 루쎄니움 터피리딘 착화합물이고, m은 1 ∼ 20의 정수) 및 -S-(CH2)n-CH3 기 (n은 1 ∼ 19의 정수)를 포함하는 단분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제14항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제14항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제14항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 금, 백금, 은 또는 크롬으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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