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(a) 기판 상에 서브 컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터캡층을 순차적으로 적층하는 단계;(b) 상기 에미터캡층 상부에 형상반전 리소그라피 방법을 이용하여 역경사를 갖는 감광막을 형성한 후 금속 증착 및 리프트 오프 공정에 의해 에미터 전극을 형성하는 단계;(c) 상기 에미터 전극의 양 측면에 제 1 유전체층을 형성하는 단계;(d) 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 에미터캡층 및 상기 에미터층 식각하여 상기 베이스층을 노출시키고 메사형태의 에미터를 형성하는 단계; (e) 상기 제 1 유전체층 및 상기 메사형태의 에미터의 측면에 제 2 유전체층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 노출된 상기 베이스층의 상부에 상기 에미터 전극과 자기정렬되는 베이스전극을 형성하는 단계를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 베이스층 및 상기 컬렉터 층을 식각하여 상기 서브 컬렉터층을 노출시키고 상기 서브 컬렉터층 상에 컬렉터전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (c)단계는상기 에미터 전극과 상기 에미터캡층 상에 상기 제 1 유전체층을 증착하는 단계; 리소그라피 방법을 이용하여 상기 에미터캡층과 상기 에미터 전극 상부에 형성된 상기 제 1 유전체층을 제거하는 단계; 및상기 에미터 전극의 양 측면에 상기 제 1 유전체층을 남기기 위해 이방성 식각을 수행하는 단계를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (d)단계에서, 상기 메사 형태의 에미터는 상기 베이스 전극과 일정한 간격으로 이격되도록 이방성 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (d)단계에서, 상기 에미터캡층은 “인산:과산화수소:물”로 이루어진 식각용액으로 습식식각하고, 상기 에미터층은 “염산:인산”으로 이루어진 식각용액으로 습식식각하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (e)단계는,상기 에미터 전극, 상기 베이스층 및 상기 메사형태의 에미터 전면에 상기 제 2 유전체층을 증착하는 단계; 상기 에미터 전극 상부 및 상기 베이스층 상면에 형성된 제 2 유전체층을 제거하는 단계; 및상기 제 1 유전체층 및 상기 메사형태의 에미터 측면에 제 2 유전체층을 남기기 위해 이방성 식각을 수행하는 단계 를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (f)단계는, (f1) 상기 베이스층 상에 형상반전 리소그라피 방법을 이용하여 상기 베이스 전극에 역경사를 갖는 감광막 패턴을 형성하는 단계; (f2) 상기 감광막 패턴 상에 베이스 메탈층을 형성하는 단계;(f3) 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 유전체층은 SiNx를 이용하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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기판 상에 형성된 서브 컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터캡층; 상기 에미터 캡층 상에 형성된 에미터 전극; 상기 에미터 전극의 양측면에 형성된 제 1 유전체층; 상기 에미터캡층 및 상기 에미터층 식각하여 형성된 메사형태의 에미터; 상기 제 1 유전체층 및 상기 메사형태의 에미터의 측면에 형성된 제 2 유전체층; 상기 베이스층 상에 상기 에미터 전극과 자기정렬되도록 형성된 베이스 전극; 상기 서브 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극 을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터
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