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다음 식으로 표시되는 포피린 (porphyrine) 디설파이드 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자용 화합물
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제1항에 있어서, 상기 포피린 디설파이드 화합물은 다음 식으로 표시되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자용 화합물
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H-CO-R1-Br (R1은 F로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C20의 포화 또는 불포화 탄화수소기)로 표시되는 구조를 가지는 화합물을 소듐 싸이오설페이트 펜타하이드레이트 및 R2-SH (R2는 F로 치환 또는 비치환된 C1 ∼ C20의 포화 또는 불포화 탄화수소기)로 표시되는 화합물과 차례로 반응시켜 H-CO-R1-S-S-R2 로 표시되는 화합물을 합성하는 단계와, 상기 H-CO-R1-S-S-R2 로 표시되는 화합물을 파이롤 및 R-알데하이드 (R은 펜틸 또는 파라토일)와 축합반응시키는 단계와, 상기 축합 반응 결과 얻어진 산물을 DDQ (2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone)를 이용하여 산화시켜 제1항에 따른 분자 전자소자용 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자용 화합물의 제조 방법
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제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 형성된 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 개재되어 있고 상기 제1 전극에 자기조립되어 있는 분자 활성층을 포함하고, 상기 분자 활성층은 제1항에 따른 분자 전자소자용 화합물이 디설파이드기 (-S-S-)를 정착기로 하여 상기 제1 전극에 자기조립된 결과물인 -S-R1-Cy 기 (Cy는 포피린) 및 -S-R2 기를 포함하는 단분자층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제4항에 있어서, 상기 분자 활성층에서, -R1-은 -(CH2)m- (m은 1 ∼ 20의 정수)이고, -R2는 -(CH2)n-CH3 (n은 1 ∼ 19의 정수)인 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제4항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제4항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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제4항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 금, 백금, 은 또는 크롬으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자
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