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1
기판의 일측 상부에 형성되며 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역; 및
상기 기판의 타측 상부에 형성되며 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역
을 포함하되,
상기 광 도파 영역은, 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하고,
상기 편광 보상 영역은, 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함하는
편광 무의존 슬랩 도파로
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2
제 1항에 있어서,
상기 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 동작 파장보다 짧은
편광 무의존 슬랩 도파로
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3
제 1항에 있어서, 상기 제 1 코어 층 및 제 2 코어 층은,
상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층보다 높은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진
편광 무의존 슬랩 도파로
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4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 코어 층 및 제 2 코어 층은,
InGaAsP 물질로 이루어진
편광 무의존 슬랩 도파로
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5
제 1항에 있어서, 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층은,
InP 물질 또는 GaAs 물질로 이루어진
편광 무의존 슬랩 도파로
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6
제 1항에 있어서,
상기 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 상기 제 1 코어 층 물질의 밴드 갭 파장보다 긴
편광 무의존 슬랩 도파로
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7
외부로부터 광 신호를 입력받거나 외부로 광 신호를 출력하는 광 도파로;
상기 광 도파로와 광학적으로 연결되며, 상기 광 도파로부터 광 신호를 입력 받거나 상기 광 도파로로 광 신호를 출력하는 슬랩 도파로;
상기 슬랩 도파로로부터 입력되는 광 신호를 반사 및 회절시켜 상기 슬랩 도파로로 출력하는 오목 회절 격자
를 포함하되,
상기 슬랩 도파로는, 기판의 일측 상부에 형성되며 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역; 및 상기 기판의 타측 상부에 형성되며 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 상기 오목 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하고,
상기 광 도파 영역은, 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하며,
상기 편광 보상 영역은, 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함하는
편광 무의존 다중화기/역다중화기
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8
입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역 및 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법에 있어서,
(a) 기판 상에 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 식각 방지 층, 제 2 코어 층 및 제 1 상부 클래드 층을 차례로 형성하는 단계;
(b) 상기 제 1 상부 클래드 층 상에 제 1 마스크 패턴을 형성하고 건식 식각 및 선택적 습식 식각을 수행함으로써 상기 광 도파 영역의 제 1 상부 클래드 층 및 제 2 코어 층을 제거한 후, 상기 제 1 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및
(c) 상기 광 도파 영역과 상기 편광 보상 영역의 상부에 제 2 상부 클래드 층을 형성하는 단계
를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법
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제 8항에 있어서,
(d) 상기 제 2 상부 클래드 층 상부에 제 2 마스크 패턴을 형성하고 건식 식각을 수행함으로써 상기 회절 격자를 결합하기 위한 영역을 형성하는 단계
를 더 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법
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10
제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계는,
실리콘 니트라이드(SiNX) 또는 실리카(SiO2)로 상기 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법
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11
제 9항에 있어서, 상기 (d) 단계는,
실리콘 니트라이드(SiNX) 또는 실리카(SiO2)로 상기 제 2 마스크 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법
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12
제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계는,
InGaAsP 물질로 상기 제 1 코어 층 및 상기 제 2 코어 층을 형성하는 단계
를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법
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13
제 12항에 있어서, 상기 (b) 단계는,
상기 제 2 코어 층의 선택적 습식 식각 시에 인산, 과산화 수소 및 물이 혼합된 용액(H3PO4 : H2O2 : H2O) 또는 황산, 과산화 수소 및 물이 혼합된 용액(H2SO4 : H2O2 : H2O)를 식각제로 사용하는 단계
를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법
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