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나노로드 밀집도가 조절된 전도성 기판 구조체 및 그전도성 기판 구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015083154
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 기판과 활성층 광의 접촉을 확대시킬 수 있는 나노로드의 밀집도가 조절된 전도성 기판 구조체 및 그 전도성 기판 구조체 제조 방법을 제공한다. 그 전도성 기판 구조체는 베이스(base) 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되고 유기분자에 의해 표면이 처리된 전도성 기판; 및 상기 전도성 기판 상에 도포된 씨드(seed)로부터 성장시킨 나노로드;를 포함하고, 상기 유기분자의 자기 조립 특성에 의해 상기 씨드가 전도성 기판 상의 일정 영역에만 도포되어 상기 나노로드의 밀집도가 조절될 수 있다. 또한, 그 기판 구조체 제조방법은 베이스 기판 상에 형성된 전도성 기판을 유기분자 처리하는 단계; 상기 유기분자의 자기 조립 특성을 통해 씨드를 상기 전도성 기판 상의 일정 영역에만 도포하는 단계; 및 상기 씨드로부터 밀집도가 조절된 나노로드를 성장시키는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070098886 (2007.10.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0932903-0000 (2009.12.11)
공개번호/일자 10-2009-0033712 (2009.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20091221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.01)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전용석 대한민국 대전 유성구
2 강만구 대한민국 대전 유성구
3 이승엽 대한민국 경북 경산시
4 윤호경 대한민국 서울 마포구
5 박종혁 대한민국 대전 유성구
6 박헌균 대한민국 대전 유성구
7 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0707581-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051031-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0209437-99
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0439954-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0439960-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0484865-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스(base) 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되고 유기분자에 의해 표면이 처리된 전도성 기판; 및 상기 전도성 기판 상에 도포된 씨드(seed)로부터 성장시키되, 아세트산 아연 단량체 용액 내에서 소정 시간 동안 성장된 나노로드;를 포함하고, 상기 유기분자의 자기 조립 특성에 의해 상기 씨드가 전도성 기판 상의 일정 영역에만 도포되어 상기 나노로드의 밀집도가 조절된 전도성 기판 구조체
2 2
제1 항에 있어서, 상기 베이스 기판은 유리(glass) 또는 금속(metal) 기판인 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체
3 3
제1 항에 있어서, 상기 전도성 기판은 FTO(F-doped SnO2) 또는 ITO(InSO2) 투명 기판인 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체
4 4
제1 항에 있어서, 상기 유기분자는 실레인(silane) 계열, 인산계열, 황산계열, 및 상기 인산 또는 황산의 유도체 중 어느 하나이고, 상기 인산계열은 인산(phosphoric acid), 인산염(phosphate), 및 차아인산염(hypo-phosphate) 중의 어느 하나의 작용기를 가지며, 상기 황산계열은 황산(sulfuric acid), 황산염(sulfate), 및 차아황산염(hypo-sulfate) 중의 어느 하나의 작용기를 갖는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체
5 5
제1 항에 있어서, 상기 씨드는 산화아연(ZnO)이고, 열증착, 스퍼터링(sputtering), 및 스핀 코팅 중 어느 하나의 방법으로 도포되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체
6 6
제1 항에 있어서, 상기 나노로드 성장 후, 상기 유기분자는 산소 분위기 및 250 ℃ 열처리를 통해서 제거되거나 과산화수소수와 황산 혼합 용액에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체
7 7
제1 항에 있어서, 상기 전도성 기판 구조체는 집적도가 조절된 상기 나노로드를 통해 활성층과의 접촉면적이 증가되는 것을 특징으로 전도성 기판 구조체
8 8
제7 항에 있어서, 상기 전도성 기판 구조체는 유기 태양전지 또는 염료감응 태양전지(dye-sensitized nanocrystalline solar cell)에 이용되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체
9 9
베이스 기판 상에 형성된 전도성 기판을 유기분자 처리하는 단계; 상기 유기분자의 자기 조립 특성을 통해 씨드를 상기 전도성 기판 상의 일정 영역에만 도포하는 단계; 및 상기 씨드로부터 밀집도가 조절된 나노로드를 성장시키되, 상기 나노로드를 아세트산 아연 단량체 용액 내에서 소정 시간 동안 성장시키는 단계;를 포함하는 전도성 기판 구조체 제조방법
10 10
제9 항에 있어서, 전도성 기판은 상기 전도성 기판은 FTO(F-doped SnO2) 또는 ITO(InSO2) 투명 기판이고, 베이스 기판은 상기 베이스 기판은 유리(glass) 또는 금속(metal) 기판인 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
11 11
제9 항에 있어서, 상기 유기분자는 상기 유기분자는 실레인(silane) 계열, 인산계열, 황산계열, 및 상기 인산 또는 황산의 유도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
12 12
제11 항에 있어서 상기 인산계열은 인산(phosphoric acid), 인산염(phosphate), 및 차아인산염(hypo-phosphate) 중의 어느 하나의 작용기를 가지며, 상기 황산계열은 황산(sulfuric acid), 황산염(sulfate), 및 차아황산염(hypo-sulfate) 중의 어느 하나의 작용기를 갖는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
13 13
제11 항에 있어서, 상기 유기분자가 OTS(octadecyltrichlorosilane)인 경우, 상기 전도성 기판을 OTS 아이소옥탄(isooctane) 용액에 1 ~ 2분 동안 담가 상기 유기분자 처리를 하고, 상기 유기분자가 인산인 경우, 상기 전도성 기판을 상기 인산을 알코올에 녹인 용액에 20 ~ 30 분 동안 담가 상기 유기분자 처리를 하는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
14 14
제13 항에 있어서, 상기 유기분자 처리 후, 아이소옥탄으로 상기 전도성 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
15 15
제9 항에 있어서, 상기 씨드는 ZnO이고, 상기 씨드를 상기 유기분자 처리된 상기 전도성 기판 상에 열증착, 스퍼터링(sputtering), 및 스핀 코팅 중 어느 하나의 방법으로 도포하는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
16 16
제15 항에 있어서, 상기 ZnO 씨드는 1
17 17
제16 항에 있어서, 상기 나노로드는 ZnO 씨드가 도포된 상기 전도성 기판을 상기 단량체 용액에 24 시간 이상을 담가 1 ~ 2 ㎛ 정도로 성장시키는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
18 18
제9 항에 있어서, 상기 나노로드 성장 후, 상기 유기분자는 산소 분위기 및 250 ℃ 열처리를 통해서 제거되거나 과산화수소수와 황산 혼합 용액에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
19 19
제9 항에 있어서, 상기 유기분자 처리를 통하여 상기 나노로드의 집적도를 조절함으로써, 상기 전도성 기판의 상부로 적층되는 활성층과의 접촉면적을 증가시킨 것을 특징으로 하는 전도성 기판 구조체 제조방법
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1 EP2045849 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT신성장동력핵심기술개발사업 유비쿼터스 단말용 부품 모듈