1 |
1
주파수 대역의 가변이 가능한 역 에프 안테나에 있어서,
접지면과,
상기 접지면에 평행하고 접지면과 이격되어 배치되며 판형으로 형성되는 제 1 방사체와,
상기 제 1 방사체와 연결되어 상기 제 1 방사체에 전류를 공급하는 급전 수단과,
상기 접지면과 상기 제 1 방사체를 단락시키는 단락 수단과,
상기 접지면과 상기 제 1 방사체에 평행하고 상기 접지면과 상기 제 1 방사체 사이에 이격되어 배치되며 판형으로 형성되는 제 2 방사체와,
상기 접지면과 상기 제 2 방사체를 선택적으로 단락시키는 스위치를
포함하는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 방사체는 상기 스위치가 단락된 경우 상기 제 1 방사체와의 전자기적 커플링을 통해 에너지를 공급받는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 역 에프 안테나는 상기 스위치가 개방된 경우 상기 제 1 방사체가 공진하는 주파수 대역에서 동작하고, 상기 스위치가 단락된 경우 상기 제 1 방사체 및 상기 제 2 방사체가 공진하는 주파수 대역에서 동작하는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 스위치는 반도체 스위치, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 스위치, 기계 스위치 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,
상기 반도체 스위치는 다이오드 스위치, FET(Field Effect Transistor) 스위치, CMOS(Complementary Metal Oxide Silicon) 스위치, HEMT(High Electron Mobility Transistor) 스위치 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 스위치는 상기 제 1 방사체 또는 상기 제 2 방사체에 의해 방사 또는 흡수되는 전자기파의 주파수 특성에 따라 상기 접지면과 상기 제 2 방사체를 선택적으로 단락시키는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 방사체 또는 상기 제 2 방사체는 사각형상의 판형, 슬릿(slit) 또는 슬랏(slot)이 삽입된 판형, 귀퉁이가 잘려나간 사각판형, 타원판형, 원판형, 미앤더(meander) 형상, 절곡된 판형 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
8 |
8
제 1 항에 있어서,
상기 접지면과 상기 제 1 방사체 사이에 배치되는 제 1 유전체와,
상기 접지면과 상기 제 2 방사체 사이에 배치되는 제 2 유전체와,
상기 제 1 방사체와 상기 제 2 방사체 사이에 배치되는 제 3 유전체 중 적어도 하나를
추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|
9 |
9
주파수 대역의 가변이 가능한 역 에프 안테나에 있어서,
접지면과,
상기 접지면과 이격되어 배치되는 제 1 방사체와,
상기 제 1 방사체에 전류를 공급하는 급전 수단과,
상기 접지면과 상기 제 1 방사체를 단락시키는 단락 수단과,
상기 접지면과 상기 제 1 방사체 사이에 이격되어 배치되는 제 2 방사체와,
상기 접지면과 상기 제 2 방사체를 선택적으로 연결하는 스위치를
포함하는 것을 특징으로 하는 안테나
|
10 |
10
제 9 항에 있어서,
상기 제 2 방사체는 상기 스위치가 단락된 경우 상기 제 1 방사체와의 전자기적 커플링을 통해 에너지를 공급받는 것을 특징으로 하는 역 에프 안테나
|