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쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084289
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 적층형 패키지의 3차원 수직 연결(vertical interconnection)을 위한 쓰루 비아(through via) 형성 방식을 개선한 패키지 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 적층형 패키지의 제조 방법은, 웨이퍼 하면에 비아 코어(via core) 형성을 위한 시드(seed) 층을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼에 상하 관통된 적어도 하나의 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계; 상기 비아 홀 내에 비아 코어를 형성하는 단계; 상기 비아 홀과 상기 비아 코어 사이를 절연하는 단계; 및 상기 절연 후 상기 웨이퍼 하면에 형성된 시드 층을 제거하는 단계;를 포함한다. 이에 의해 제조된 적층형 패키지는 고속 신호전송에 적합한 특징을 갖는다.
Int. CL H01L 23/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080081330 (2008.08.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1025013-0000 (2011.03.18)
공개번호/일자 10-2010-0022690 (2010.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.20)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임권섭 대한민국 광주시 북구
2 강현서 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유경열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)(특허법인 신지)
2 천성훈 대한민국 서울특별시 서초구 마방로*길 **-**, *층(양재동, 서흥빌딩)(청신국제특허법률사무소)
3 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 감마스펙트라 대구광역시 달서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0592707-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.07 수리 (Accepted) 9-1-2010-0020067-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0212286-86
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0455247-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0455246-01
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0526188-30
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0038082-29
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0038080-38
11 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0142339-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼 하면에 비아 코어(via core) 형성을 위해 적어도 하나의 홀이 형성된 시드 층을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼에 상하 관통된 적어도 하나의 비아 홀을 형성하는 단계; 상기 비아 홀 내에 비아 코어를 형성하는 단계; 상기 시드층에 형성된 적어도 하나의 홀을 통해 상기 비아 홀과 상기 비아 코어 사이를 절연하는 단계; 및 상기 절연 후 상기 웨이퍼 하면에 형성된 시드 층을 제거하는 단계;를 포함하되, 상기 절연 단계는 상기 시드층에 형성된 적어도 하나의 홀은 통해 상기 비아홀과 상기 비아코어 사이를 절연 물질로 충진하는 것임을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 시드 층 형성 단계 이전에 상기 웨이퍼가 특정 두께가 되도록 제작하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제작 단계는, 화학 기계적 연마, 건식 식각, 습식 식각 기술 중 어느 하나의 기술을 이용하여 상기 웨이퍼를 특정 두께로 제작하는 것임을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 시드 층 하면에 핸들러를 접착하는 단계; 및 상기 절연 단계 이후에 상기 핸들러를 제거하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 비아 홀 형성 단계는 : 상기 웨이퍼에 마스크를 증착하는 단계; 비아 홀 형성을 위해 상기 증착된 마스크를 패터닝하는 단계; 상기 마스크 패터닝 후 심도 반응성 이온 에칭 방식을 이용하여 비아 홀을 형성하는 단계; 및 상기 비아 홀 형성 후 상기 증착된 마스크를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 비아 홀 형성 단계는, 레이저 드릴링을 이용하여 비아 홀을 형성하는 것임을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 비아 코어 형성 단계는 : 상기 비아 홀 형성 후 상기 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 상기 비아 홀 내에 비아 코어 형성을 위한 포토레지스트 홀을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 홀의 아래에서 위 방향으로 도금하여 비아 코어를 형성하는 단계; 및 상기 비아 코어 형성 후 상기 도포된 포토레지스트를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 비아 홀 형성 후 및 상기 비아 코어 형성 이전에, 상기 웨이퍼 상면에 그라운드 층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 비아 홀 형성 후 및 상기 비아 코어 형성 이전에, 상기 웨이퍼의 상면 및 상기 비아 홀의 측면과 바닥면에 시드 층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 비아 코어 형성 단계는 : 상기 비아 홀 형성 후 상기 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 상기 비아 홀 내에 비아 코어 형성을 위한 포토레지스트 홀을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 홀에 솔더 페이스트를 채워 비아 코어를 형성하는 단계; 및 상기 비아 코어 형성 후 상기 도포된 포토레지스트를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 비아 홀 형성 후 및 상기 비아 코어 형성 이전에, 상기 웨이퍼 상면에 그라운드 층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 비아 홀 형성 후 및 상기 비아 코어 형성 이전에, 상기 웨이퍼의 상면 및 상기 비아 홀의 측면과 바닥면에 시드 층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼 하면에 형성된 시드 층은, 상기 비아 홀에 노출된 상하 관통된 적어도 하나의 홀을 포함하며, 상기 절연 단계는, 상기 시드 층에 형성된 홀을 이용하여 절연 물질을 상기 시드 층 아래에서 석션하는 것임을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
15 15
제 1항에 있어서, 상기 절연 단계에 의해 상기 비아 코어 상면에 형성된 절연 물질을 제거하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 시드 층 제거 단계는, 상기 웨이퍼를 이면 연마(back grinding)함에 의해 상기 시드 층을 제거하는 것임을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
17 17
제1항에 있어서, 상기 절연 단계에 의해 형성된 절연층 상에 상기 비아 코어와 접촉되는 전송 선로 또는 비아 패드를 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 전송 선로 또는 비아 패드 형성 단계는, 상기 전송 선로 또는 비아 패드를 범핑 하지 금속 형태로 제작하는 것임을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
19 19
제1항에 있어서, 상기 절연 단계에 의해 형성된 절연층 상에 박막 공정을 이용하여 전기 배선, 수동 혹은 능동 소자를 내장하거나 집적하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
20 20
제1항에 있어서, 상기 시드 층이 제거된 웨이퍼 하면에 상기 비아 코어와 접촉되는 비아 패드를 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 비아 패드 형성 단계는, 상기 비아 패드를 범핑 하지 금속 형태로 제작하는 것임을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
22 22
제20항에 있어서, 상기 비아 패드와 타 적층형 패키지의 비아 패드에 솔더 볼을 본딩하여 상기 적층형 패키지와 상기 타 적층형 패키지를 수직 연결하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쓰루 비아 형성 방식을 개선한 적층형 패키지의 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국전자통신연구원 광통신 및 센서노드를 위한 융합 SOP기술 개발