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기판 상에 배치된 활성영역;
상기 활성영역 상에 배치된 요철형 게이트 절연패턴; 및
상기 게이트 절연패턴에 의해 자기정렬되어 상기 게이트 절연패턴의 내부 공간에 배치된 게이트 전극을 포함하는 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 게이트 절연패턴은 측벽 및 하부벽을 포함하고,
상기 측벽의 높이는 상기 게이트 전극의 상부면 높이보다 높은 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 게이트 전극은 도전성 물질을 상기 개방된 상부를 통해 상기 내부 공간으로 공급하여 형성된 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 게이트 절연패턴에 의해 자기정렬되어 상기 게이트 절연패턴에 인접한 상기 기판 상에 배치된 소스/드레인을 더 포함하는 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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제 4 항에 있어서,
상기 소스/드레인은 상기 기판 상에 불순물 이온을 주입하여 형성된 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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6
제 4 항에 있어서,
상기 소스/드레인은 상기 기판 상에 도전성 물질을 공급하여 형성된 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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7
제 6 항에 있어서,
상기 게이트 전극과 상기 소스/드레인은 동일한 도전성 물질로 이루어진 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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제 6 항에 있어서,
상기 게이트 전극과 상기 소스/드레인은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 백금(Pt), 폴리아닐린(Polyaniline:PANI), 전도성 고분자(예컨대, PEDOT), 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube:CNT), 피롤리딘(Pyrrolidine), 그라파이트(Graphite) 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 기판은 유리 기판을 포함하되,
상기 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체는 표시 소자의 스위칭 소자를 포함하는 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 활성영역의 폭은 상기 게이트 절연패턴의 하부폭보다 큰 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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