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기판 상에 언도프트 화합물 반도체막(undoped compound semiconductor layer)을 형성하는 것;상기 언도프트 화합물 반도체막 상에 도펀트막(dopant element layer)을 형성하는 것;어닐링 공정을 수행하여 상기 도펀트막내 도펀트들을 상기 언도프트 화합물 반도체막내로 확산시켜 도펀트 확산 영역을 형성하는 것; 및상기 도펀트 확산 영역을 갖는 기판에 액체질소를 사용하는 급속 냉각 처리를 수행하는 것을 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 1항에 있어서,상기 액체 질소를 사용하는 급속 냉각 처리를 수행하는 것은,상기 도펀트 확산 영역을 갖는 기판을 상기 액체질소에 디핑(dipping)하는 것을 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 1항에 있어서,상기 어닐링 공정은 급속 열 어닐링 공정(rapid thermal annealing process)인 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 1항에 있어서,상기 급속 냉각 처리를 수행한 후에,잔존된 상기 도펀트막을 제거하는 것;상기 도펀트 확산 영역을 덮는 절연막을 형성하는 것;상기 절연막을 갖는 기판에 제2 어닐링 공정을 수행하여 상기 도펀트 확산 영역내 비활성화된 도펀트들을 활성시키는 것; 및상기 제2 어닐링 공정이 수행된 기판에 액체 질소를 사용하는 제2 급속 냉각 처리를 수행하는 것을 더 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 4항에 있어서,상기 제2 급속 냉각 처리를 수행하는 것은,상기 제2 어닐링 공정이 수행된 기판을 상기 제2 급속 냉각 처리에 사용되는 액체 질소에 디핑(dipping)하는 것을 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 4항에 있어서,상기 제2 어닐링 공정은 급속 열 처리 공정인 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 1항에 있어서,상기 어닐링 공정을 수행하기 전에, 상기 도펀트막을 덮는 캐핑막을 형성하는 것; 및상기 급속 냉각 처리를 수행한 후에, 상기 캐핑막을 제거하는 것을 더 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 1항에 있어서,상기 도펀트막은 상기 언도프트 화합물 반도체막의 일부분과 접촉되도록 형성되는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 8항에 있어서,상기 도펀트막을 형성하는 것은,상기 언도프트 화합물 반도체막 상에 하드마스크막을 형성하는 것;상기 하드마스크막을 패터닝하여 상기 언도프트 화합물 반도체막의 일부분을 노출시키는 개구부를 형성하는 것; 및상기 개구부에 노출된 언도프트 화합물 반도체막과 접촉하는 상기 도펀트막을 상기 기판 상에 형성하는 것을 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 9항에 있어서,상기 도펀트막을 형성하기 전에, 상기 개구부에 노출된 상기 언도프트 화합물 반도체막을 리세스(recess)하는 것을 더 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 9항에 있어서,상기 어닐링 공정을 수행하기 전에, 상기 도펀트막을 패터닝하는 것을 더 포함하되,상기 패터닝된 도펀트막은 상기 개구부에 노출된 언도프트 화합물 반도체막과 접촉되는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 1항에 있어서,상기 기판은 제1 타입의 도펀트들로 도핑된 화합물 반도체로 형성되고,상기 도펀트막은 제2 타입의 도펀트들을 포함하고,상기 제1 타입의 도펀트 및 제2 타입의 도펀트 중에 어느 하나는 n형 도펀트이고, 다른 하나는 p형 도펀트인 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 12항에 있어서,상기 언도프트 화합물 반도체막을 형성하기 전에,상기 기판 상에 흡수 화합물 반도체막을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 흡수 화합물 반도체막은 상기 언도프트 화합물 반도체막 보다 작은 밴드 갭을 갖고, 진성 상태인 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 13항에 있어서,상기 언도프트 화합물 반도체막을 형성하기 전에,상기 흡수 화합물 반도체막 상에 그래이딩(grading) 화합물 반도체막을 형성하는 것; 및상기 그래이딩 화합물 반도체막 상에 차아지 시트층(charge sheet layer)을 형성하는 것을 더 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 12항에 있어서,상기 기판 및 언도프트 화합물 반도체막은 3A족 원소 및 5A족 원소를 포함하는 화합물 반도체로 형성되고,상기 기판은 n형 도펀트들로 도핑되고, 상기 도펀트막은 p형 도펀트들을 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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청구항 15항에 있어서,상기 언도프트 화합물 반도체막은 인듐인으로 형성되고, 상기 도펀트막은 아연 및 카드뮴 중에서 적어도 하나를 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
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