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이중 확산 전계 효과 트랜지스터의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015085828
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이중 확산 전계 효과 트랜지스터의 형성 방법이 제공된다. 이중 확산 전계 효과 트랜지스터의 형성 방법은 제1 도전형의 기판에 제공된 제1 도전형의 에피택셜층(Epitaxial Layer)에 제1 트렌치를 형성하는 것, 에피택셜층(Epitaxial Layer) 상부에 제1 트렌치의 측벽과 접하는 제2 도전형의 바디 영역들을 형성하는 것, 에피택셜층(Epitaxial Layer)을 더 식각하여서 제1 트렌치로부터 연장된 제2 트렌치를 형성하여 상기 바디 영역들을 분리하는 것, 제2 트렌치 및 에피택셜층(Epitaxial Layer) 상부 면에 게이트 절연막을 형성하는 것, 및 제2 트렌치 내부에 도전물질을 증착하여서 게이트를 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66674(2013.01) H01L 29/66674(2013.01) H01L 29/66674(2013.01) H01L 29/66674(2013.01)
출원번호/일자 1020100029265 (2010.03.31)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 실리콘웍스
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0109498 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 실리콘웍스 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유성욱 대한민국 대구광역시 수성구
2 김용구 대한민국 대전광역시 유성구
3 오형석 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0205864-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.14 수리 (Accepted) 4-1-2011-5026895-82
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5016783-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0059858-30
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2018-5212820-95
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번호 청구항
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제1 도전형의 기판에 제공된 제1 도전형의 에피택셜층(Epitaxial Layer)에 제1 트렌치를 형성하는 것;상기 에피택셜층(Epitaxial Layer) 상부에 상기 제1 트렌치의 측벽과 접하는 제2 도전형의 바디 영역들을 형성하는 것;상기 에피택셜층(Epitaxial Layer)을 더 식각하여서 상기 제1 트렌치로부터 연장된 제2 트렌치를 형성하여 상기 바디 영역들을 분리하는 것;상기 제2 트렌치 및 상기 에피택셜층(Epitaxial Layer) 상부 면에 게이트 절연막을 형성하는 것; 및상기 제2 트렌치 내부에 도전물질을 증착하여서 게이트를 형성하는 것을 포함하는 이중 확산 전계 효과 트렌지스터 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.