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반도체에서 pn 접합의 원리에 의해 발광되는 구조가 아닌 아발란치 영역에서 발광이 일어나는 반도체 층을 포함하는 구조로서기판을 두며;기판 위에 버퍼층을 두며;버퍼층 위에 P 혹은 N 형 반도체 층을 형성하고;반도체 층 아래 혹은 반도체 층 일 부분에 놓이는 제 1전극 층;반도체 층 위에 제 2전극 층;을 포함하는 것을 패키지 하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항에 있어서상기의 기판은 사파이어, Si, GaAs을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 2 항에 있어서상기의 기판에 빛의 반사를 위하여 금속막 혹은 금속판을 붙이는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항에 있어서상기 버퍼는 기판 위에 격자 미스매치를 맞추어주는 GaAs, GaN를 포함하는 절연체인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항에 있어서상기 p 혹은 n형 반도체는 p 형 GaAs 혹은 p 형 GaN를 포함하는 p형 III-V족 반도체를 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항에 있어서상기 p 혹은 n형 반도체는 n 형 GaAs 혹은 n 형 GaN를 포함하는 n형 III-V족 반도체를 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항에 있어서상기 제 1 전극과 제 2전극은 Ti/Au, Ti/Al, Cr/Al, Ti/Ni/Al, Cr/Ti/Au, Ti/W/Al, Ti/Mo/Al, Ti/Ni/Au, Sn을 포함하는 화합물의 ITO 투명전극 등을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항에 있어서상기 제 1전극은 p 혹은 n 형 반도체의 일부분 위에 놓이는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 버퍼와 p 혹은 n 형 반도체 사이에 놓이고,상기 제 2 전극은 투명전극으로서 p 혹은 n 형 반도체의 상부를 전부 덮는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1 항에 있어서상기 제 1전극은 p 혹은 n 형 반도체의 왼쪽에 놓이되 전극의 일부는 반도체의 상부 일부를 덮는 구조이며, 상기 제 2전극은 제 1전극과 같은 구조이면서 반도체의 오른쪽에 놓이는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광소자가 패키지될 때 기판이 패키지 Die에 본딩되고 각 전극은 Wire로 전극단자에 본딩되며 렌즈와 함께 패키지 되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 11 항에 있어서,상기 발광다이오드는 황색형광물질이 p 혹은 n 형 반도체 위에 놓이도록 패키지 되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 p 혹은 n 형 반도체는 농도가 다른 반도체를 적층으로 되어있는 구조를 특징으로 하는 발광다이오드
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