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CuCl2, InCl3 및 SeC(NH2)2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계;기판을 300 ~ 500 ℃에서 30 ~ 60 분 동안 가열하는 단계;비진공 하에서 상기 혼합용액을 스프레이 공정을 이용하여 상기 기판 위에 분사시킨 후 건조시켜 박막을 제조하는 단계; 및상기 박막을 Se 분위기에서 450 ~ 610 ℃에서 30 ~ 120 분 동안 셀렌화하는 단계;를 포함하고, 상기 스프레이 공정은, 회전 쉐이커로 기판을 10 ~ 50 rpm의 속도로 회전시키면서, 캐리어 가스가 3 ~ 50 ml/h로 분사되면서 상기 혼합용액이 분사되는 것이고, 상기 건조는 8 ~ 12 ℃/min의 속도로 냉각하여 상온까지 건조되는 것인, 광흡수층 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 혼합용액을 제조하는 단계는, 전구체 용액들의 용액 조성을 조절하여 화학식이 CuXInYSeZ(X, Y= 0
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청구항 1에 있어서,상기 혼합용액은 GaCl3를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광흡수층 박막의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 GaCl3를 더 포함함으로써, 혼합용액의 In 대신 Ga가 20% 치환된 혼합용액이 제조되는 것을 특징으로 하는 광흡수층 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 광흡수층 박막 제조장치에 구비된 히터에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 광흡수층 박막의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 광흡수층 박막 제조장치는 혼합용액이 투입되는 주입구, 혼합용액이 분사되는 스프레이 노즐, 상기 주입구와 스프레이 노즐 사이에 구비되고 캐리어 가스에 의해 혼합용액이 이동하는 스프레이 건 및 히터 하부에 구비되는 회전 쉐이커를 포함하는 것을 특징으로 하는 광흡수층 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 캐리어 가스는 질소인 것을 특징으로 하는 광흡수층 박막의 제조방법
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CuCl2, InCl3 및 SeC(NH2)2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하고, 기판을 300 ~ 500 ℃에서 30 ~ 60 분 동안 가열한 후, 비진공 하에서 회전 쉐이커로 기판을 10 ~ 50 rpm의 속도로 회전시키면서 캐리어 가스가 3 ~ 50 ml/h로 분사되면서 상기 혼합용액이 분사되는 스프레이 공정을 수행하고, 8 ~ 12 ℃/min의 속도로 냉각하여 상온까지 건조시켜 박막을 제조한 후, 상기 박막을 Se 분위기에서 450 ~ 610 ℃에서 30 ~ 120 분 동안 셀렌화하여 제조되는 광흡수층 박막
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청구항 13에 있어서,상기 혼합용액은 추가적으로 GaCl3 전구체 용액을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광흡수층 박막
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유리기판 위에 스퍼터링 공정으로 하부전극층을 제조하는 단계;CuCl2, InCl3 및 SeC(NH2)2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하고, 상기 하부전극층을 300 ~ 500 ℃에서 30 ~ 60 분 동안 가열한 후, 비진공 하에서 회전 쉐이커로 기판을 10 ~ 50 rpm의 속도로 회전시키면서 캐리어 가스가 3 ~ 50 ml/h로 분사되면서 상기 혼합용액이 분사되는 스프레이 공정을 수행하고, 8 ~ 12 ℃/min의 속도로 냉각하여 상온까지 건조시켜 박막을 제조한 후, 상기 박막을 Se 분위기에서 450 ~ 610 ℃에서 30 ~ 120 분 동안 셀렌화하여 CIS계 광흡수층을 제조하는 단계;상기 광흡수층 위에 화학기상 증착법으로 버퍼층을 제조하는 단계;상기 버퍼층 위에 스퍼터링 공정으로 윈도우층을 제조하는 단계; 및상기 윈도우층 위에 상부전극층을 제조하는 단계;를 포함하는 CIS계 박막 태양전지의 제조방법
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청구항 15에 있어서,상기 분사는 혼합용액이 투입되는 주입구, 혼합용액이 분사되는 스프레이 노즐, 상기 주입구와 스프레이 노즐 사이에 구비되고 캐리어 가스에 의해 혼합용액이 이동하는 스프레이 건, 기판을 가열시키는 히터 및 상기 히터 하부에 구비되는 회전 쉐이커를 포함하는 광흡수층 박막 제조장치로 수행되는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 태양전지의 제조방법
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유리기판 위에 스퍼터링 공정으로 하부전극층을 제조하는 단계;CuCl2, InCl3, GaCl3 및 SeC(NH2)2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하고, 상기 하부전극층을 300 ~ 500 ℃에서 30 ~ 60 분 동안 가열한 후, 비진공 하에서 회전 쉐이커로 기판을 10 ~ 50 rpm의 속도로 회전시키면서 캐리어 가스가 3 ~ 50 ml/h로 분사되면서 상기 혼합용액이 분사되는 스프레이 공정을 수행하고, 8 ~ 12 ℃/min의 속도로 냉각하여 상온까지 건조시켜 박막을 제조한 후, 상기 박막을 Se 분위기에서 450 ~ 610 ℃에서 30 ~ 120 분 동안 셀렌화하여 CIGS계 광흡수층을 제조하는 단계;상기 광흡수층 위에 화학기상 증착법으로 버퍼층을 제조하는 단계;상기 버퍼층 위에 스퍼터링 공정으로 윈도우층을 제조하는 단계; 및상기 윈도우층 위에 상부전극층을 제조하는 단계;를 포함하는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
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기판(Substrate, 210);상기 기판(210) 위에 스퍼터링 공정으로 적층되는 하부전극층(220);CuCl2, InCl3 및 SeC(NH2)2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하고, 상기 하부전극층(220)을 300 ~ 500 ℃에서 30 ~ 60 분 동안 가열한 후, 비진공 하에서 회전 쉐이커로 기판을 10 ~ 50 rpm의 속도로 회전시키면서 캐리어 가스가 3 ~ 50 ml/h로 분사되면서 상기 혼합용액이 분사되는 스프레이 공정을 수행하고, 8 ~ 12 ℃/min의 속도로 냉각하여 상온까지 건조시켜 박막을 제조한 후, 상기 박막을 Se 분위기에서 450 ~ 610 ℃에서 30 ~ 120 분 동안 셀렌화하여 제조되는 광흡수층(230);상기 광흡수층(230) 위에 화학 용액 증착법으로 증착되는 버퍼층(240);상기 버퍼층(240) 위에 스퍼터링 공정으로 적층되는 윈도우층(250); 및상기 윈도우층(250) 위에 스퍼터링 공정으로 적층되는 상부전극층(270);을 포함하는 박막 태양전지
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