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기판상에 하부 클래드층, 활성층, 제1 상부 클래드층 및 제2 상부 클래드층을 차례로 형성하는 것;상기 제2 상부 클래드층 상에 절연마스크를 형성하는 것;상기 절연마스크를 이용하여 상기 제2 상부 클래드층을 습식식각하여 상기 제2 상부 클래드층을 관통하는 채널들 및 인접하는 채널들 사이의 리지를 형성하는 것; 및상기 절연마스크를 이용한 건식식각을 수행하여 상기 채널들로부터 연장되고 상기 제1 상부클래드층을 관통하는 트렌치들(trenches)을 형성하는 것을 포함하는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 상부 클래드층과 상기 제2 상부 클래드층 사이에 식각중단층을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 습식식각은 상기 식각중단층이 노출될 때까지 수행되는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 리지는 그 하부의 폭이 그 상부의 폭보다 좁은 역메사(reverse mesa) 구조로 형성되는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 트렌치들의 폭은 상기 채널들의 하부 폭보다 좁게 형성되는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 트렌치들은 상기 활성층의 상면을 노출시키도록 형성되는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 트렌치들은 상기 활성층을 관통하고 상기 하부 클래드층의 일부가 식각되어 형성되는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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7
기판;상기 기판 상에 차례로 형성된 하부 클래드층, 활성층, 제1 상부 클래드층 및 제2 상부 클래드층;상기 제2 상부 클래드층을 관통하는 채널들에 의해 상기 제2 상부 클래드층에 정의되는 리지; 및 상기 채널들로부터 연장되어 상기 제1 상부 클래드층을 관통하는 트렌치들을 포함하는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드
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8
제 7 항에 있어서,상기 제1 상부 클래드층과 상기 제2 상부 클래드층 사이에 배치되는 식각중단층을 더 포함하는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 리지는 그 하부의 폭이 그 상부의 폭보다 좁은 역메사(reverse mesa) 구조를 가지는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드
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10
제 7 항에 있어서,상기 트렌치들의 폭은 상기 채널들의 하부 폭보다 좁은 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드
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11
제 7 항에 있어서,상기 트렌치들은 상기 활성층의 상면을 노출하는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드
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12
제 7 항에 있어서,상기 트렌치들은 상기 활성층을 관통하여 상기 하부 클래드층의 내부로 연장되는 리지 도파로형 반도체 레이저 다이오드
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