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기판 상의, 제 1 회절 격자를 가지는 분포 귀환 레이저 구조부; 및상기 기판 상의, 제 2 회절 격자를 가지는 분포 브래그 반사 구조부를 포함하되,상기 분포 귀환 레이저 구조부는:상기 기판 상의 하부 클래드층;상기 하부 클래드층 상의, 이득 매질을 포함하는 능동 광도파로; 및상기 능동 광도파로 상의, 상기 제 1 회절 격자를 가지는 상부 클래드층을 포함하고,상기 분포 브래그 반사 구조부는:상기 기판 상의 상기 하부 클래드층;상기 하부 클래드층 상의, 상기 제 2 회절 격자를 가지는 수동 광도파로; 및상기 수동 광도파로 상의 상기 상부 클래드층을 포함하고,상기 분포 귀환 레이저 구조부가 발진하는 제 1 파장과 상기 분포 브래그 반사 구조부에 의해 발진되는 제 2 파장은 서로 다르며, 상기 제 1 및 제 2 파장들은 상기 능동 광도파로의 상기 이득 매질에서 이득을 얻는 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 1에 있어서,상기 분포 귀환 레이저 구조부와 상기 분포 브래그 반사 구조부 사이에 개재된 위상 조절부를 더 포함하는 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 회절 격자의 주기는 상기 제 2 회절 격자의 주기와 동일한 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 3에 있어서,상기 능동 광도파로의 유효 굴절률은 상기 수동 광도파로의 유효 굴절률과 서로 다른 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 1에 있어서,상기 분포 귀환 레이저 구조부는 상기 상부 클래드층 상에 배치되는 제 1 전류 주입 전극 및 제 1 마이크로 히터를 더 포함하는 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 5에 있어서,상기 제 1 전류 주입 전극은 상기 능동 도파로의 상기 이득 매질에 전류를 주입하여 상기 제 1 및 제 2 파장들을 발진시키고,상기 제 1 마이크로 히터는 상기 능동 광도파로의 유효 굴절률 및 상기 제 1 파장을 변화시키는 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 1에 있어서,상기 분포 브래그 반사 구조부는 상기 상부 클래드층 상에 배치되는 제 2 전류 주입 전극 및 제 2 마이크로 히터를 더 포함하는 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 7에 있어서,상기 제 2 전류 주입 전극 및 상기 제 2 마이크로 히터는 상기 수동 광도파로의 유효 굴절률 및 상기 제 2 파장을 변화시키는 이중 모드 반도체 레이저
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 회절 격자의 주기는 상기 제 2 회절 격자의 주기와 서로 다른 이중 모드 반도체 레이저
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기판 상의 제 1 파장을 발진하는 분포 귀환 레이저 구조부 및 상기 기판 상의 제 2 파장을 발진하는 분포 브래그 반사 구조부를 포함하는 이중 모드 반도체 레이저; 및상기 이중 모드 반도체 레이저로부터 발진하는 광을 이용하여 테라헤르츠파를 생성하는 포토믹서를 포함하되,상기 분포 귀환 레이저 구조부는:상기 기판 상의 하부 클래드층;상기 하부 클래드층 상의, 이득 매질을 포함하는 능동 광도파로; 및상기 능동 광도파로 상의 제 1 회절 격자를 가지는 상부 클래드층을 포함하고,상기 분포 브래그 반사 구조부는:상기 기판 상의 상기 하부 클래드층;상기 하부 클래드층 상의, 제 2 회절 격자를 가지는 수동 광도파로; 및상기 수동 광도파로 상의 상기 상부 클래드층을 포함하고,상기 제 1 파장과 상기 제 2 파장은 상기 능동 광도파로의 상기 이득 매질에서 이득을 얻는 테라헤르츠파 장치
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