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제 1 도전형 반도체층;상기 제 1 도전형 반도체층의 하부 부분에 형성되며, 상기 제 1 도전형 반도체층보다 불순물 농도가 높은 제 1 도전형 매몰층;상기 제 1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 형성된 소멸 저항들;상기 제 1 도전형 반도체층 상에 형성되며, 상기 소멸 저항들을 노출하는 투명 절연체;상기 소멸 저항들 아래에 형성되어 상기 제 1 도전형 반도체층과 접하는 제 2 도전형의 상부 도핑층들; 및상기 투명 절연체 및 상기 소멸 저항들의 상면들을 덮으며, 상기 소멸 저항들과 전기적으로 공통 연결되는 투명 전극을 포함하되,상기 투명 절연체의 두께는 상기 소멸 저항들로부터 멀어질수록 증가하고, 상기 투명 절연체는 상기 제 1 도전형 반도체층과 접촉하며, 상기 제 1 도전형 매몰층 방향으로 오목한 하부면을 갖고, 상기 투명 절연체 및 상기 소멸 저항들의 상면들은 동일한 평면상에 배치되는 실리콘 포토멀티플라이어
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제 1 항에 있어서,상기 소멸 저항들은 평면적으로 육방밀집격자 형태로 배열되는 실리콘 포토멀티플라이어
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제 1 항에 있어서,상기 소멸 저항들은 폴리실리콘으로 이루어진 실리콘 포토멀티플라이어
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제 1 항에 있어서,상기 투명 절연체는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, PDMS 및 PMMA으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나로 이루어진 실리콘 포토멀티플라이어
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium zinc oxide), ICO(Indium Cesium Oxide) 및 폴리에틸렌디옥시씨오펜(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나로 이루어진 실리콘 포토멀티플라이어
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제 1 도전형 반도체층의 하부 부분에 제 1 도전형 매몰층을 형성하는 것;상기 제 1 도전형 반도체층의 상부 부분에 제 2 도전형 상부 도핑층을 형성하는 것;상기 제 2 도전형 상부 도핑층 상에 소멸 저항막을 형성하는 것;상기 소멸 저항막, 상기 제 2 도전형 상부 도핑층, 및 상기 제 1 도전형 반도체층의 일부분들을 패터닝하여 리세스 영역들을 형성함으로써, 상기 리세스 영역들에 의해 정의되는 소멸 저항들을 형성하는 것;상기 리세스 영역들을 채우는 투명 절연체를 형성하는 것; 및상기 투명 절연체 및 상기 소멸 저항들 표면을 덮는 투명 전극을 형성하는 것을 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역들은 상기 제 1 도전형 매몰층 방향으로 오목한 하부면을 갖는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역들은 상기 제 1 도전형 반도체층을 노출시키는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역들을 형성하는 것은, 상기 소멸 저항막, 상기 제 2 도전형 상부 도핑층, 및 상기 제 1 도전형 반도체층의 일부분들을 등방성 식각하는 것을 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 소멸 저항막을 형성하는 것은 상기 제 2 도전형 상부 도핑층 상에 폴리실리콘막을 증착하는 것인 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 투명 절연체를 형성하는 것은,상기 리세스 영역들이 형성된 구조물 상에 투명 절연막을 형성하고, 상기 소멸 저항들의 상면이 노출되도록 상기 투명 절연막에 대한 평탄화 공정을 수행하는 것을 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 투명 절연체는 PDMS, PMMA, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 투명 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), ICO(Indium Cesium Oxide) 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시씨오펜)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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