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기판 상에 평탄부 및 돌출부를 가지는 하부 전극을 형성하는 것; 상기 하부 전극 상에 중간층을 형성하는 것; 및상기 중간층 상에 상부전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 하부 전극을 형성하는 것은:상기 기판 상에 제1 금속을 증착하여 도전 필름을 형성하는 것; 및상기 도전 필름 상에 제2 금속을 증착하여, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 합금을 제조하는 것을 포함하고, 상기 평탄부 및 상기 돌출부는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 합금을 포함하는 전자소자 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 평탄부보다 더 큰 상기 제2 금속 함량비를 가지는 전자소자 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고, 상기 제2 금속은 은을 포함하는 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 평탄부는 상기 돌출부와 동일한 조성비를 가지는 전자소자 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고, 상기 제2 금속은 은을 포함하는 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2 금속의 증착은 270 내지 400℃에서 진행되는 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 하부전극은 상기 도전필름 및 상기 중간층 사이에 형성되는 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 하부전극은 상기 기판과 접촉하도록 형성되는 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 평탄부 상으로 연장된 전자소자 제조방법
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기판; 상기 기판 상에 배치되며, 평탄부 및 돌출부를 가지는 하부 전극; 상기 하부전극 상의 중간층; 및상기 중간층 상의 상부전극을 포함하되, 상기 하부 전극은: 제1 금속 및 제2 금속의 합금을 포함하고, 상기 돌출부는 상기 평탄부보다 더 큰 상기 제2 금속의 함량비를 가지는 전자소자
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제 10항에 있어서,상기 기판 및 상기 하부 전극 사이에 개재된 도전필름을 더 포함하되, 상기 도전필름은 제1 금속을 포함하는 전자소자
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제 10항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리를 포함하고,상기 제2 금속은 은을 포함하는 전자소자
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제 10항에 있어서, 상기 중간층은 광흡수층을 포함하는 전자소자
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제 10항에 있어서, 상기 중간층은 유기발광물질을 포함하는 전자소자
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제 10항에 있어서, 상기 중간층은 무기발광물질을 포함하는 전자소자
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기판;상기 기판 상에 배치되며, 제1 금속을 포함하는 도전필름;상기 기판 상에 배치되며, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 하부 전극; 상기 하부전극 상의 중간층; 및상기 중간층 상의 상부전극을 포함하되, 상기 하부 전극은: 상기 도전필름 상의 평탄부; 그리고상기 평탄부 상으로 연장된 돌출부를 가지는 전자소자
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제 16항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 평탄부보다 더 큰 상기 제2 금속의 함량비를 가지는 전자소자
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제 16항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 평탄부와 동일한 제2 금속 함량비를 가지는 전자소자
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