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유리스퍼터링을 이용한 평면도파로형 광증폭기의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015087373
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고농도 희토류 함유 유리를 실리카의 음각부분에 증착시켜 신호광의 고이득 증폭전송할 수 있는 유리스퍼터링을 이용한 평면도파로형 광증폭기의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유리스퍼터링을 이용한 평면도파로형 광증폭기의 제조방법은 실리콘 기판상에 실리카 클래드층을 형성하는 단계; 상기 실리카 클래드층을 음각식각하는 단계; 음각식각된 실리카 클래드층상에 희토류 함유 유리막을 증착하는 단계; 및 상기 희토류 함유 유리막상에 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함한다.평면도파로, 광증폭기, 유리, 스퍼터링
Int. CL G02B 6/136 (2006.01)
CPC G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01)
출원번호/일자 1020010063931 (2001.10.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0395500-0000 (2003.08.11)
공개번호/일자 10-2003-0033143 (2003.05.01) 문서열기
공고번호/일자 (20030825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.10.17)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심재기 대한민국 대전광역시유성구
2 김태홍 대한민국 대전광역시유성구
3 신장욱 대한민국 대전광역시유성구
4 박상호 대한민국 대전광역시유성구
5 성희경 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-0265693-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 등록결정서
Decision to grant		 2003.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0291165-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판상에 실리카 클래드층을 형성하는 단계;

상기 실리카 클래드층을 음각식각하는 단계;

음각식각된 실리카 클래드층상에 희토류 함유 유리막을 증착하는 단계; 및

상기 희토류 함유 유리막상에 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 실리카 클래드층은 FHD, PECVD 또는 HIPOX 중 하나를 이용하여 15-20㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 실리카 클래드층의 음각식각은 금속마스크를 이용하여 ICP 식각법으로 폭이 8-10㎛이고 깊이가 7-14㎛가 되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기의 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 금속마스크는 Cr 또는 Al의 금속막이 사용되는 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 희토류 함유 유리막은 희토류 금속이 2-4wt% 함유된 인산염 유리 또는 소다석회유리중 하나를 스퍼터링법 또는 전자빔법으로 1

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 희토류 함유 유리막 증착시 음각식각의 깊이방향으로 증착되도록 2mmtorr 이하의 저압 스퍼터링 혹은 콜리메이터를 사용하여 스퍼터링다발을 형성하여 증착하는 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기의 제조방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 콜리메이터는 탄탈륨의 금속으로 이루어지며, 두께 0

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 상부 클랙드층은 희토류 함유 유리막상에 굴절율 정합 폴리머 혹은 겔을 스핀코팅하여 상부 클래드층으로 둘러싼 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기의 제조방법

9 9

청구항1의 방법으로 제조된 광증폭기와 저손실 실리카 기능소자를 동일기판 상에 구현하여 고효율 증폭과 기능성소자를 결합시킨 평면도파로형 광증폭기

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 저손실 실리카기능소자는 8, 16 또는 32중 어느한 채널의 저손실 광분배소자인 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기

11 11

제 10 항에 있어서,

상기 저손실 실리카 기능소자는 8, 16 또는 32중 어느한 채널의 AWG-WDM 소자인 것을 특징으로 하는 평면도파로형 광증폭기

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.