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기판 상부에 도파로 하부 주변층, 도파로 중심층, 도파로 상부 주변층 및 선택적 식각층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 선택적 식각층의 상부에 긴 띠 형태의 식각 마스크를 형성하는 단계; 선택적 식각 용액을 이용하여 상기 선택적 식각층과 상기 도파로 상부 주변층을 상기 식각 마스크 안쪽으로 일정 부분 식각하여 모세 평판을 형성하는 단계; 및 확산속도지배 식각 용액을 이용하여 상기 도파로 중심층을 테이퍼 형태로 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자용 수직 테이퍼 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 하부 주변층은 InP, 상기 중심층은 InGaAsP, 상기 상부 주변층은 InP로 형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자용 수직 테이퍼 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 식각 마스크는 질화막(nitride), 산화막(oxide), 금속, 화합물 반도체 또는 포토 레지스트로 형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 소자용 수직 테이퍼 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 선택적 식각 용액은 상기 선택적 식각 층이 InGaAs 일 때, H2SO4:H2O2:H2O 또는 H3PO4:H2O2:H2O 용액인 것을 특징으로 하는 광도파로 소자용 수직 테이퍼 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 확산속도지배 식각 용액은 상기 도파로 상부 주변층이 InP일 때, H3PO4:HCl 용액인 것을 특징으로 하는 광도파로 소자용 수직 테이퍼 형성방법
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제1 항에 있어서, 상기 확산속도지배 식각 용액은 상기 도파로 상부 주변층이 InP일 때, H3PO4:HCl 용액인 것을 특징으로 하는 광도파로 소자용 수직 테이퍼 형성방법
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