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셀 영역과 상기 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것; 상기 셀 영역의 상기 기판 상에 일정한 간격으로 나열되는 브릿지 전극들을 형성하는 것; 상기 브릿지 전극들이 형성된 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 것; 상기 절연막을 패터닝하여 상기 브릿지 전극들의 양 끝단을 노출시키는 컨택홀들을 형성하는 것; 및 서로 이격되어 마주보고 있는 상기 컨택홀들 사이에서 제 1 방향으로 연장되는 X축 전극들 및 상기 컨택홀들을 채우면서 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 형성되는 Y축 전극 셀들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 금속 브릿지 전극들, 상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 하이브리드 전극으로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 절연막을 패터닝하기 전에, 상기 절연막 상면에 제 1 완충층 및 제 2 완충층을 차례로 형성하는 것을 더 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 완충층은 고 굴절률 투명 절연체이며, 상기 제 2 완충층은 저 굴절률 투명 절연체인 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 X축 전극들은 X축 전극 셀들과 상기 X축 전극 셀들을 연결하는 X축 연결 전극들을 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 서로 이격되어 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 하이브리드 전극은 차례로 적층된 하부 산화막, 금속막, 및 상부 산화막으로 이루어진 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 하부 산화막 및 상기 상부 산화막은 ITO, IZTO, IZO, AZO, 및 GZO 중 어느 하나의 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 하부 산화막 및 상기 상부 산화막의 두께는 40nm 내지 60nm인 터치 스크린 패널 제조 방법
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9
제 6 항에 있어서, 상기 금속막은 Ag, Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, 및 Ag-Au-Cu 중 어느 하나의 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속막의 두께는 5nm 내지 15nm인 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 X축 전극들과 상기 Y축 전극 셀들을 형성한 후에, 상기 기판의 상기 배선영역 상에 금속 배선들을 형성하는 것을 더 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법
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기판 상에 제 1 방향으로 연장되는 X축 전극들 및 상기 X축 전극들과 이격되어, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향으로 배열되는 Y축 전극 셀들을 형성하는 것; 상기 X축 전극들과 상기 Y축 전극 셀들이 형성된 상기 기판 상에 상기 Y축 전극셀들의 양 끝단들을 노출시키는 컨택홀들을 갖는 절연막을 형성하는 것; 및 상기 절연막 상면에 상기 제 2 방향으로 상기 X축 전극들 사이에 서로 이격되어 마주 보고 있는 상기 컨택홀들을 채우는 브릿지 전극들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 X축 전극들, 상기 Y축 전극 셀들, 및 상기 브릿지 전극들은 하이브리드 전극으로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 하이브리드 전극은 차례로 적층된 하부 산화막, 금속막, 및 상부 산화막으로 이루어진 터치 스크린 패널 제조 방법
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14
제 13 항에 있어서, 상기 하부 산화막 및 상기 상부 산화막은 ITO, IZTO, IZO, AZO, 및 GZO 중 어느 하나의 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 하부 산화막 및 상기 상부 산화막의 두께는 40nm 내지 60nm인 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 금속막은 Ag, Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, 및 Ag-Au-Cu 중 어느 하나의 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 16 항에 있어서, 상기 금속막의 두께는 5nm 내지 15nm인 터치 스크린 패널 제조 방법
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