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실리콘 층 상에 제 1 도파로 및 평면 테이퍼 층을 형성하는 단계;상기 제 1 도파로에 대향되는 상기 평면 테이퍼 층의 일측에서 상기 실리콘 층을 노출하는 일정한 선폭의 제 1 개구부와, 상기 제 1 개구부로부터 상기 선폭이 줄어드는 제 2 개구부들을 가지는 마스크를 형성하는 단계; 및상기 제 1 개구부 내에서 평탄한 평면 도파로와, 제 2 개구부 내에서 상기 선폭에 반비례하여 두께가 점진적으로 증가되는 3차원 테이퍼 층을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 광결합기의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 평면 도파로와, 상기 3차원 테이퍼 층은 선택적 에피택시얼 성장방법으로 형성되는 광결합기의 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 평면 도파로는 상기 평면 테이퍼 층과 동일한 두께로 형성되는 광결합기의 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 평면 도파로 및 상기 3차원 테이퍼 층을 형성하는 단계는,상기 평면 도파로에 대향되는 상기 3차원 테이퍼 층의 타측에 접하는 제 2 도파로를 형성하는 단계를 포함하는 광결합기의 형성방법
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제 4 항에 있어서,상기 제 2 도파로에 광섬유를 정렬시키는 단계를 더 포함하는 광결합기의 형성방법
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제 5 항에 있어서,상기 마스크는 상기 제 1 개구부에 대향되는 상기 제 2 개구부의 타측으로부터 연장되어 일정한 선폭을 가지는 제 3 개구부를 더 포함하는 광결합기의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 층은 매몰 산화막(buried oxide)을 포함하는 기판 상에 제공되며, 상기 기판, 상기 매몰 산화막 및 상기 실리콘 층은 소이(Silicon On Insulator) 기판을 구성하는 광결합기의 형성방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 도파로 및 상기 평면 테이퍼 층은 상기 실리콘 층의 상부(upper portion)를 패터닝하여 형성되는 광결합기의 형성방법
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제 1 에 있어서,상기 평면 테이퍼 층, 상기 평면 도파로 및 상기 3차원 테이퍼 층을 폭이 좁아지도록 패터닝하여 평면 미세 테이퍼 층 및 3차원 미세 테이퍼 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광결합기의 형성방법
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 개구부에 대향되는 상기 제 2 개구부 타측의 상기 실리콘 층 상에 광소자를 집적하는 단계를 더 포함하되,상기 3차원 테이퍼 층과 상기 광소자는 접촉되는 광결합기의 형성방법
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