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제1 도전형 기판의 전면(全面)에 차례로 제1 도전형 버퍼층, 광 흡수층, 그레이딩층, 제1 도전형 전기장 조절층 및 제1 도전형 증폭층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 증폭층을 식각하여 제2 폭을 갖는 제2 리세스부와, 상기 제2 리세스부로부터 연장되고 상기 제2 폭보다 작은 제1 폭을 갖는 제1 리세스부를 포함하는 리세스 영역을 형성하는 단계;
상기 리세스 영역에 제2 도전형 확산 물질을 제공하고 상기 제2 도전형 증폭층으로 확산시켜 제2 도전형 확산층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 증폭층 상에 상기 제2 도전형 확산층과 연결되는 제2 도전형 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1 도전형 기판의 후면에 제1 도전형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 리세스 영역을 형성하는 단계는,
상기 제1 도전형 증폭층 상에 제1 폭을 갖는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 마스크 패턴을 마스크로 상기 제1 도전형 증폭층을 식각하여 예비 리세스부를 형성하는 단계;
상기 제1 마스크 패턴을 식각하여 상기 제1 폭보다 넓은 상기 제2 폭을 갖는 제2 마스크 패턴을 형성하여 상기 제1 도전형 증폭층의 상부면을 노출하는 단계; 및
상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 상기 예비 리세스부의 상기 제1 도전형 증폭층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 제2 도전형 확산층을 형성하는 단계는,
상기 제1 리세스부, 상기 제2 리세스부 및 상기 제2 마스크 패턴 상에 ZnP를 증착하는 단계; 및
상기 ZnP에 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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제1 항에 있어서,
상기 제2 도전형 확산층은 상기 제1 리세스부와 상기 제2 리세스부에 의해 상기 제1 도전형 증폭층과의 접합 계면이 복수의 곡률을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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제1 도전형 기판의 전면(全面)에 차례로 제1 도전형 버퍼층, 광 흡수층, 그레이딩층, 제1 도전형 전기장 조절층 및 제1 도전형 증폭층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 증폭층을 식각하여 제2 폭을 갖는 제2 리세스부 보다 작은 제1 폭을 갖는 제1 리세스부를 포함하는 리세스 영역을 형성하는 단계;
상기 리세스 영역에 제2 도전형 확산 물질을 제공하고 상기 제1 도전형 증폭층으로 확산시켜 제2 도전형 확산층을 형성하는 단계;
상기 리세스 영역에 제2 도전형 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1 도전형 기판의 후면에 입광부와 제1 도전형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 리세스 영역을 형성하는 단계는,
상기 제1 도전형 증폭층 상에 제1 폭을 갖는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 마스크 패턴을 마스크로 상기 제1 도전형 증폭층을 식각하여 예비 리세스부를 형성하는 단계;
상기 제1 마스크 패턴을 식각하여 상기 제1 폭보다 넓은 상기 제2 폭을 갖는 제2 마스크 패턴을 형성하여 상기 제1 도전형 증폭층의 상부면을 노출하는 단계; 및
상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 상기 예비 리세스부의 상기 제1 도전형 증폭층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 제2 도전형 확산층을 형성하는 단계는,
상기 제1 리세스부, 상기 제2 리세스부 및 상기 제2 마스크 패턴 상에 ZnP를 증착하는 단계; 및
상기 ZnP에 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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8
제5 항에 있어서, 상기 제1 도전형 전극을 형성하는 단계는,
상기 제1 도전형 기판의 후면에 절연층을 형성하고 상기 절연층을 식각하여 입광부를 형성하는 단계; 및
상기 제1 도전형 기판과 상기 입광부 상에 제1 도전형 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 입광부는 상기 제2 도전형 전극의 수직으로 아래에 형성되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,
상기 제2 도전형 확산층은 상기 제1 리세스부와 상기 제2 리세스부에 의해 상기 제1 도전형 증폭층과의 접합 계면이 복수의 곡률을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법
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