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반도체재료의투과전자현미경평면시료제작방법

  • 기술번호 : KST2015088059
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명 투과전자 현미경을 통해 평면시료를 관찰하기 위한 반도체 재료의 평면시료 제작방법에 관한 것으로 특히 시료의 이온연마도중 생성된 찌꺼기들이 시료평면에 증착되는 것을 방지한 반도체 재료의 투과현미경 평면시료 제작방법에 관한 것으로, 관찰하고자하는 부위를 절단한 지름 3㎜의 원형시료를 유리원통에 부착한후 시료 두께가 100㎛에 이를때까지 연마하고 딤플(dimple)연마기를 사용하여 시료 두께 15㎛에 이를때까지 연마하는 기계적 연마공정과, 시료지지에서 시료지지판을 분리한후 시료지지판의 뒷면에 이 지지판의 구명을 접착제를 사용하여 소정크기의 금속박관으로 봉한후 이 시료지지판을 다시 시료지지대에 고정하는 시료지지판의 봉합공정과, 상기 기계적 연마공정을 마친 시료를 시료표면(박막)이 밑으로 가도록하여 상기 실료지지판의 봉합공정을 거친 시료지지판(110)위에 부착하고 아르곤이나 요요드 이온을 이용항여 시료의 두께를 100㎚이하로 연마하는 이온연마 공정을 포함한다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/22(2013.01)
출원번호/일자 1019930026304 (1993.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0125409-0000 (1997.10.06)
공개번호/일자 10-1995-0021304 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970010662 (19970630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남산 대한민국 대전직할시서구
2 이희태 대한민국 대전직할시유성구
3 박형호 대한민국 대전직할시유성구
4 조경익 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133257-38
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133259-29
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133258-84
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133260-76
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133261-11
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061509-10
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133262-67
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.19 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1993-0061512-58
9 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.19 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1993-0061513-04
10 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061511-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

관찰하고자 하는 부위를 절단한 지름 3mm의 원형시료를 유리원통에 부착한 후 시료두께가 100㎛에 이를때까지 연마하고 그 다음 딤플(dimple) 연마기를 사용하여 15㎛에 이를때까지 연마하는 기계적 연마공정과, 시료지지대(100)에서 시료지지판(110)을 분리한 후 상기 시료지지판(110)의 뒷면에 이 시료지지판의 구멍(111)을 접착재(130)를 사용하여 소정 크기의 금속박판(120)으로 봉한 후 이 시료지지판(110) 다시 상기 시료지지대(110)에 고정하는 시료지지판의 봉합공정과, 상기 기계적 연마공정을 마친 시료를 시료 표면(박막)이 밑으로 가도록 하여 상기 시료지지판(110) 위에 부착하여 아르곤이나 요오드이온을 이용하여 시료의 두께를 100nm 이하로 연마하는 이온연마공정을 포함하는 반도체 재료의 투과전자 현미경 평면 시료 제작방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 금속박막(120)이 알루미늄 호일(foi1)인 반도체 재료의 투과 전자 현미경 평면시료 제작방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 접착재(130)가 진공구리스인 반도체 재료의 투과현미경 평면 시료 제작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.