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활성층(6)의 옆벽면을 볼록하게한 수직메사(Vertical mese)를 이용하여 자연스럽게 되녹임되는 향상된 성능의 매립형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 1차 액상에피성장을 통해 기판(8)상에 중간층(7), 활성층(6) 및 클래드층(5)으로 이루어지는 이중이종구조(Double Heterostructure)를 만든다음 그 상부에 에칭마스크(9)를 형성하는 제1공정, 상기 에칭마스크(9)를 마스크로하고 식각용액을 사용하여 식각해 내어 수직메사구조를 형성하는 제2공정, 상기 클래드층(5) 및 중간층(7)만을 선택적으로 식각하는 식각용액을 사용하여 상기 활성층(6) 부분이 볼록한 메사구조를 형성하는 제3공정, 및 전류차단층(3, 4)을 성장시키기 위한 2차 액상에피성장시 상기 제3공정에서 형성된 볼록한 활성층(6) 부분이 접촉하는 평형 또는 과포화된 용액에 의해 자연스럽게 되녹임되는 제4공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 활성층(6)과 클래드층(5)은 액상에피택시(Liquid Phase Epitaxy) 방법으로 전류차단층을 성장시키는 InGaAsP/InP 계, GaAlAs/GaAs 계, 및 InGaAlAs/InP 계를 비록한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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상기 제2항에 있어서, 상기 활성층(6)과 클래드층(5)은 액상에피택시(Liquid Phase Epitaxy) 방법으로 전류차단층을 성장시키는 HgCdTe/CdTe 계, 및 PbSnTe 계를 비록한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 매립형 레이저 다이오드는 PBH(Planar Buried Heterostructure) 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 레이저 다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 매립형 레이저 다이오드는 DCPBH(Double Channel Planar Buried Heterostructure) 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 레이저 다이오드 제조방법
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1차 액상에치성장을 통해 기판(8)상에 중간층(7), 활성층(6) 및 클래드층(5)으로 이루어지는 이중이종구조를 만든다음 상부에 에칭마스크(9)를 형성한후 상기 에칭마스크(9)를 마스크로 하고 식각용액을 사용하여 역메사(reverse mesa)구조를 만드는 제1공정, 상기 클래드층(5) 및 중간층(7)만을 선택적으로 식각하는 식각용액을 사용하여 상기 역메사의 선택적 식각 및 상기 역메사 하부의 수직식각을 수행한후 상기 에칭마스크(9)를 제거하는 제2공정, 및 전류차단층을 성장시키기 위한 제2차 액상에피성장시 상기 제2공정에서 형성된 볼록한 활성층(6) 부분과 상기 활성층의 상
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제6항에 있어서, 상기 활성층(6)과 클래드층(5)은 액상에피택시 방법으로 전류차단층을 성장시키는 InGaAsP/InP 계, GaAlAs/GaAs 계, 및 InGaAlAs/InP 계를 비록한 Ⅲ-족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 활성층(6)과 클래드층(5)은 액상에피택시(Liquid Phase Epitaxy) 방법으로 전류차단층을 성장시키는 HgCdTe/CdTe 계, 및 PbSnTe 계를 비록한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 매립형 레이저 다이오드는 PBH(Planar Buried Heterostructure) 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 레이저 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 매립형 레이저 다이오드는 DCPBH(Double Channel Planar Buried Heterostructure) 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 레이저 다이오드 제조방법
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1차 액상에치성장을 통해 기판(8)상에 중간층(7), 활성층(6) 및 클래드층(5)으로 이루어지는 이중이종구조를 만든다음 상기 클래드층(5) 위에 열손상 방지층(10)을 만든후 그 상부에 에칭마스크(9)를 형성하 상기 에칭마스크(9)로 가려지지 않은 부분을 식각용액을 사용하여 식각해 내후 에칭마스크(9)를 제거하는 제1공정, 상기 클래드층(5) 및 중간층(7)만을 선택적으로 식각하는 식각용액을 사용하여 상기 활성층(6)과 상기 열손상 방지층(10) 부분이 볼록한 메사구조를 형성하는 제2공정, 전류차단층을 성장시키기 위한 2차 액상에피성장시 평형 또는 약간 과포화된 용액과 접촉됨에 따라 상기 열손상 방지층(10)은 조성의 차가 커서 녹아나가고 볼록한 활성층(6) 옆면은 자연스럽게 되녹임되는 제3공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 활성층(6)과 클래드층(5)은 액상에피택시 방법으로 전류차단층을 성장시키는 InGaAsP/InP 계임을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 매립형 레이저 다이오드는 PBH(Planar Buried Heterostructure) 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 레이저 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 매립형 레이저 다이오드는 DCPBH(Double Channel Planar Buried Heterostructure) 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 레이저 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서, 클래드층(5)을 보호하기 위한 상기 열손상 방지층(10)은 고온에서 InP 보다 더 안정한 InGaAs 임을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제1공정에 의한 메사의 형태는 역메사(reverse mesa)인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 레이저 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제1공정에 의한 메사의 형태는 수직메사(Vertical mesa)인 것을 특징으로 하는 고신뢰도 매립형 레이저 다이오드 제조방법
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