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갈륨비소전계효과트랜지스터의채널활성화방법

  • 기술번호 : KST2015088210
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 반절연 갈륨 비소 기판상에 1차로 이온 주입하여 증가형 영역 및 공핍형 영역을 정의하고 2차로 이온 주입하여 소오스 및 드레이영역의 오믹접촉을 위한 N+ 영역을 정의한 후 전기적으로 활성화시키는 방법에 있어서, 이중으로 절연막을 증착하고 800℃, 30분 동안 고온 열처리를 수행한 것이다.
Int. CL H01L 29/812 (2006.01)
CPC H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01)
출원번호/일자 1019920025005 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0095262-0000 (1996.02.05)
공개번호/일자 10-1994-0016747 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019950013798 (19951116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성우 대한민국 대전직할시중구
2 조경익 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135764-87
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135763-31
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135762-96
4 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135761-40
5 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135765-22
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135766-78
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135767-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045148-21
9 의견서
Written Opinion		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135769-15
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135768-69
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045149-77
12 등록사정서
Decision to grant		 1996.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045150-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반전열 갈륨 비소 기판(1)상에 1차로 이온 주입하여 증가형 영역 및 공핍형 영역(2)츨 정의하고 2차로 이온 주입하여 소오스 및 드레인영역의 오믹접촉을 위한 N+영역(3)을 정의한 후 전기적으로 활성화시키는 방법에 있어서, 열처리 보호막으로 이중 절연막을 증착하고 900 내지 925℃, 5 내지 20초 동안 급속 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터의 채널 활성화방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 이중 절연막 증착공정은 300℃ 이하의 저온에서 플라즈마 화학증착법(PECVD)에 의해 100Å의 두께로 실리콘 산화막(4)과 적어도 500Å 이상의 두께로 실리콘 질화막(5)을 외부에 증착되지 않고 진공장치 안에서 순차로 증착하는 것을 특징으로 하는 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터의 채널 활성화방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 실리콘산화막(4)은 300℃ 700mTorr의 압력에서 사이렌(SiH4) 및 나이트로 옥사이드(N2O)를 공급원으로, 상기 실리콘질화막(5)은 사이렌(SiH4)과 암모니아(NH3) 및 질소(N2)를 공급원으로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터의 채널 활성화방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.