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선택적 결정 성장법을 이용한 굴절률보상형 분산궤환형레이저다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015088437
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 InP 계열의 열적 불안정성과 기판의 기하학적 구조에 따른 성장특성의 불균일을 개선하기 위한 선택적 결정성장법을 이용한 반도체층 성장 방법 및 그를 이용한 굴절율보상형 분산궤환 레이저다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 반도체층의 성장 InP 기판 상에 InGaAs흡수층 및 InP캡층을 형성하는 제 1 단계, 상기 InP캡층 상에 상기 InGaAs층을 보호하기 위한 유전체박막을 형성하는 제 2 단계, 상기 유전체박막을 보호막으로 하여 상기 InP기판 상에 InP평탄층을 형성하는 제 3 단계, 상기 유전체박막을 보호막으로 하여 상기 InP평탄층 상에 InGaAsP 굴절율보상층을 성장시키는 제 4 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.분산궤환형 레이저다이오드, InP, 굴절률보상층, 흡수층, 손실결합형
Int. CL H01S 5/32 (2006.01)
CPC H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01)
출원번호/일자 1019990061212 (1999.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0319759-0000 (2001.12.21)
공개번호/일자 10-2001-0057802 (2001.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 충청남도 공주시
2 이규석 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-0179687-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0336927-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체층 성장 방법에 있어서,

InP 기판 상에 InGaAs흡수층 및 InP캡층을 형성하는 제 1 단계;

상기 InP캡층 상에 상기 InGaAs층을 보호하기 위한 유전체박막을 형성하는 제 2 단계:

상기 유전체박막을 보호막으로 하여 상기 InP기판 상에 InP평탄층을 형성하는 제 3 단계; 및

상기 유전체박막을 보호막으로 하여 상기 InP평탄층 상에 선택적으로 InGaAsP 굴절율보상층을 결정성장시키는 제 4 단계;

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체층의 성장 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 단계에서,

상기 유전체박막으로는 SiNx 또는 SiO2 막을 이용함을 특징으로 하는 반도체층의 성장 방법

3 3

레이저 다이오드 제조 방법에 있어서,

InP 기판 상에 InGaAs흡수층을 형성하는 제 1 단계;

상기 InGaAs흡수층을 제외한 상기 InP기판 상에 상기 InGaAs흡수층을 보호하기 위한 유전체박막을 형성하는 제 2 단계:

상기 유전체박막을 보호막으로 하여 상기 InP기판 상에 제1InP평탄층을 형성하는 제 3 단계;

상기 제1InP평탄층 상에 선택적으로 InGaAsP 굴절율보상층을 결정성장시키는 제 4 단계;

상기 유전체박막을 제거하고 제2InP평탄층을 형성하는 제 5 단계; 및

상기 제2InP평탄층 상에 활성층을 형성하는 제 6 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 굴절율보상형 레이저다이오드의 제조 방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 제 5 단계에서,

상기 제2InP평탄층은 상기 InGaAsP 굴절율보상층의 성장최적온도로 성장온도를 변화시키며 형성되는 것을 특징으로 하는 굴절율보상형 레이저다이오드의 제조 방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.