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반도체장치의습식식각방법

  • 기술번호 : KST2015088608
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치의 습식식각(wet etching)방법에 관한 것으로 특히, 암모늄프로라이드(NH4F)를 이용한 금속박막 식각방법에 관한 것이다.본 발명은 종래의 식각용액(인산 : 질산 : 초산 : 물=80 : 5 : 5 : 10)에 암모늄프로라이드(NH4F)를 전체용액의 0.5% 내지 1% 정도로 혼합하여 제조한 새로운 식각용액을 사용하여 금속 박막(4)을 식각 함으로써 별도의 실리콘 잔유물(5)을 제거하기 위한 공정이 필요치 않을 뿐만 아니라, 본 발명을 이온센서 반도체 장치의 제조방법에 적용하는 경우 금속 패턴을 형성하는 공정에서 발생되는 게이트 질화막의 표면 손상을 방지할 수 있다.
Int. CL G03F 7/26 (2006.01)
CPC G03F 7/30(2013.01) G03F 7/30(2013.01)
출원번호/일자 1019910018988 (1991.10.28)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0081807-0000 (1995.01.25)
공개번호/일자 10-1993-0008526 (1993.05.21) 문서열기
공고번호/일자 1019940010597 (19941024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.10.28)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종문 대한민국 대전직할시동구
2 최창억 대한민국 대전직할시서구
3 진영모 대한민국 대전직할시동구
4 현영철 대한민국 대전직할시대덕구
5 박희복 대한민국 대전직할시대덕구
6 임태영 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105314-73
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105315-18
3 특허출원서
Patent Application		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105312-82
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105313-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0049102-91
6 의견서
Written Opinion		 1994.06.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105316-64
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1994.06.30 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1991-0049103-36
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0049104-82
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0049105-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

식각용액을 사용하여 금속박막(1)을 식각한 후에 생성되는 실리콘 잔유물(5)을 제거하기 위한 실리콘 잔유물 제거공정을 포함하는 반도체 장치의 습식식각방법에 있어서, 상기 식각용액에 암모늄프로라이드(NH₄F)를 전체용액의 0

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 금속박막(1)은 이온센서 반도체장치의 도선재료로 사용되는 1%의 실리콘이 함유된 알루미늄 박막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 습식식각방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.