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모스트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015088628
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01)
출원번호/일자 1019910024261 (1991.12.24)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0079471-0000 (1994.11.22)
공개번호/일자 10-1993-0015062 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019940007663 (19940822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유종선 대한민국 대전직할시대덕구
2 백종태 대한민국 대전직할시유성구
3 남기수 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132433-20
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132434-76
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132432-85
4 특허출원서
Patent Application		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132431-39
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063900-37
6 등록사정서
Decision to grant		 1994.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063901-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소오스 및 드레인이 게이트와 중첩된 구조를 갖는 모스 트랜지스터의 제조방법에 있어서, p+규소기판(1)상에 LOCOS방법으로 필드산화막(22)을 형성한후 게이트산화막(23)과 n+(24)를 순차로 형성하는 공정과, 열산화방법 혹은 VPCVD방법으로 제 1 규소산화막(25)을 소정 두께로 형성하고 LPCVD방법으로 제 1 규소질화막(26)을 형성하는 공정과, 포토리소그라피방법으로 게이트영역을 정의한 후 이 게이트영역 이외의 상기 제 1 규소질화막(26)과 상기 제 1 규소산화막(25)을 RIE방법으로 순차로 식각하여 1차로 게이트패턴을 형성하고 인(P)을 이온주입하는 공정과, 산소가스와 수소가스가 혼합된 습식분위기에서 열산화방법으로 제 2 규소산화막(30)을 형성하고 이어 LPCVD방법으로 제 2 규소질화막(31)을 소정두께로 증착하는 공정과, 상기 제 2 규소질화막(31)과 상기 제 2 규소질화막(30)과 상기 다결정규소(24) 및 상기 게이트산화막(23)을 RIE방법으로 순차로 식각하여 게이트영역을 정의한 후 2차로 게이트패턴을 형성하고 비소(As)을 이온주입하는 공정과, 산소가스와 수소가스가 혼합된 습식분위기에서 열산화시켜 제 3 규소산화막(37,38)을 형성하는 공정과, 식각용액으로 게이트패턴 상부의 규소질화막(35)을 제거하는 공정 및, 식각용액으로 규소산화막(27,34,37,48)을 제거하여 다결정실리콘(33)을 노출시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 모스트래지스터의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 규소산화막(25,30)의 두께는 200 내지 400Å인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 규소질화막(26,31)의 두께는 200 내지 300㎚인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 인 이온 주입공정은 80 내지 100KeV의 이온주입 가속에너지와 2×1014 내지 5×1014㎝-2의 도오스로 수행하여 기판표면의 인의 농도가 2×1017 내지 6×1017㎝-3가 되게 하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 규소질화막(31)의 두께는 200 내지 300㎚인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 규소산화막형성공정은 온도 900 내지 950℃에서 10분 내지 20분동안 수행되는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.