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전압 신호를 입력받아 전류 신호로 변환하여 출력하는 제 1 트랜스 컨덕터와, 상기 제 1 트랜스 컨덕터에 의해 출력된 신호에서 원하는 주파수의 신호만을 추출하여 출력하는 LC 탱크와, 상기 LC 탱크에 의해 출력된 신호의 품질 계수를 증가시키는 제 2 트랜스 컨덕터를 포함함을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 트랜스 컨덕터는전압 신호를 입력받아 전류 신호로 변환하여 출력하는 트랜지스터들과,선형성 유지를 위한 트랜지스터들과,전류원을 구성하는 트랜지스터들을 포함함을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 2항에 있어서, 상기 트랜지스터는 N 채널 모스 전계 효과 트랜지스터(n-Channel Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)임을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 2항에 있어서, 상기 전류원을 구성하는 트랜지스터들은 각각의 소스가 접지단에 연결되고, 각각의 게이트에는 저항을 통해 소정의 전압을 공급하는 바이어스 전압원과 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 2항에 있어서, 상기 선형성 유지를 위한 트랜지스터들은 각각의 게이트가 자신의 드레인과 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 2항에 있어서, 상기 선형성 유지를 위한 트랜지스터는각각의 소스가 상기 전류원을 이루는 트랜지스터의 드레인과 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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7
제 2항에 있어서, 상기 입력 전압 신호를 전류 신호로 변환하는 트랜지스터는상기 선형성 유지를 위한 트랜지스터들 각각과 직렬로 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 2항에 있어서, 상기 입력 전압 신호를 전류 신호로 변환하는 트랜지스터들은각각의 소스가 상기 선형성 유지를 위한 트랜지스터의 각각의 드레인과 연결되고, 트랜지스터들 중 일부의 게이트로 입력된 부극성의 전압 신호가 입력되고, 트랜지스터들 중 일부의 게이트로 정극성의 전압 신호가 입력되고, 각각의 드레인은 출력 단자에 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 1항에 있어서, 상기 LC 탱크는인덕터와, 직렬로 연결된 두 개의 바렉터를 포함함을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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10
제 9항에 있어서, 상기 두 개의 바렉터 사이에 제어 전압이 인가됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 1항에 있어서, 상기 제 2 트랜스 컨덕터는전류원을 구성하는 트랜지스터와, 상기 LC 탱크에서 출력된 신호의 품질 계수를 증가시키는 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 11항에 있어서, 상기 전류원을 구성하는 트랜지스터는각각의 소스가 접지단에 연결되고, 각각의 게이트에는 저항을 통해 소정의 전압을 공급하는 바이어스 전압원과 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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제 11항에 있어서, 상기 품질 계수를 증가시키는 트랜지스터는각각의 드레인에 출력 노드에 도착한 신호가 입력되고, 게이트간에 연결되고, 각각의 소스는 전류원을 이루는 트랜지스터의 드레인과 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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14
제 1항에 있어서, 상기 LC 탱크에 병렬로 연결된 능동 피드백 부하를 더 포함하되, 두 개의 트랜지스터의 소스에 직류 전원이 연결되고, 두 개의 트랜지스터의 드레인이 상대의 게이트로 궤환됨과 동시에 상기 LC 탱크와 연결됨을 특징으로 하는 고속 신호 응답 공진기
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