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태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015088883
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는, 배면전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및 상기 배면전극 상에 상온 내지 350℃의 기판 온도에서 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계는 상기 CIGS계 광흡수층에 전자빔을 조사하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020110001481 (2011.01.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0080045 (2012.07.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.17)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용덕 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0011279-40
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0036840-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1119243-89
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0115897-50
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0655013-70
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1097018-41
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-1097012-78
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0228433-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
배면전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및상기 배면전극 상에 상온 내지 350℃의 기판 온도에서 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계는 상기 CIGS계 광흡수층에 전자빔을 조사하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층은 증발법, 스퍼터링법, 전자선증착법, 전기도금법 또는 코팅법 중 어느 하나로 형성되는 태양전지의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 증발법, 스퍼터링법 또는 전자선증착법 중 어느 하나는 구리(Cu), 금(Au) 또는 은(Ag) 중 적어도 하나와, 인듐(In), 갈륨(Ga) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나, 및 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 적어도 하나를 포함하는 적어도 3종을 금속 타겟으로 사용하여 수행되는 태양전지의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 금속 기판 또는 고분자 필름 중 어느 하나로 형성되는 태양전지의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 전자빔은 빔의 방향을 조정하여 2차원적으로 분포되도록 조사되는 태양전지의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 전자빔은 전자총으로 조사되며, 상기 전자총은 이송장치를 통해 회전 또는 평행 이동되는 태양전지의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층 상에 전면 투명전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층과 상기 전면 투명전극 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 전면 투명전극 상의 일 영역에 반사 방지막을 형성하는 단계; 및상기 반사 방지막의 측면의 상기 전면 투명전극 상에 그리드 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08852991 US 미국 FAMILY
2 US20120178205 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012178205 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8852991 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.