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기판 표면에 형성된 제1 도전 패턴;상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 도전 패턴의 적어도 일부를 노출시키는 홈을 포함하는 절연 패턴;상기 절연 패턴의 홈을 매립하며, 상기 절연 패턴의 상부면보다 높은 상부면을 갖는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 제2 도전 패턴; 그리고,상기 제1 및 제2 도전 패턴에 각각 전기적으로 연결되는 연결 단자들을 포함하되,상기 광 흡수층은:상기 홈의 내측면과 접하며 상기 기판과 멀어지는 방향으로 연장되는 하부 광 흡수층; 그리고,상기 하부 광 흡수층으로부터 돌출되고, 상기 기판과 멀어질수록 좁은 폭을 갖는 상부 광 흡수층을 포함하는 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 광 흡수층은 평탄한 상부면을 갖는 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 홈에 의해 노출된 절연 패턴의 측면이 수직면인 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 절연 패턴에 의해 한정되는 홈의 폭이 상부로 갈수록 넓어지는 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 제1 도전형의 불순물을 포함하며,상기 광 흡수층은 단결정 게르마늄(single crystal germanium)을 포함하고,상기 제2 도전 패턴은 상기 제1 도전형과 상이한 제2 도전형의 불순물을 포함하는 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 도전 패턴은 상기 상부 광 흡수층의 표면 프로파일에 대응하는 구조를 갖는 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 연결 단자들은,상기 절연 패턴을 관통하여 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 제1 연결 단자; 그리고,상기 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 제2 연결 단자를 포함하는 광 검출 소자
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기판 표면에 제1 도전형의 불순물을 주입하여 제1 도전 패턴을 형성하고;상기 기판 상에, 상기 제1 도전 패턴의 적어도 일부를 노출시키는 홈을 포함하는 절연 패턴을 형성하고;상기 홈을 매립하며, 상기 홈에 노출된 상기 제1 도전 패턴으로부터 성장되며, 상기 절연 패턴의 상부면보다 높은 상부면을 갖는 광 흡수층을 형성하고;상기 광 흡수층의 상에 제2 도전 패턴을 형성하고; 그리고,상기 제1 및 제2 도전 패턴에 각각 전기적으로 연결되는 연결 단자들을 형성하는 것을 포함하되,상기 광 흡수층은:상기 홈의 내측면과 접하며 상기 기판과 멀어지는 방향으로 연장되는 하부 광 흡수층; 그리고,상기 하부 광 흡수층으로부터 돌출되고, 상기 기판과 멀어질수록 좁은 폭을 갖는 상부 광 흡수층을 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 절연 패턴을 형성하는 것은,상기 기판 상에 절연막 및 마스크(mask)를 순차적으로 형성하고;상기 마스크를 이용하여 상기 절연막의 일부를 건식 식각으로 일차 식각하고; 그리고,상기 마스크를 이용하여 상기 건식 식각된 절연막의 잔류하는 부분을 습식 식각으로 이차 식각하는 것을 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 광 흡수층을 형성하는 것은,상기 홈에 노출된 상기 제1 도전 패턴으로부터, 감압 화학기상증착 공정(reduced pressure chemical vapor deposition: RPCVD) 또는 초진공 화학기상증착 공정(ultra-high vacuum CVD: UHVCVD)을 이용하여, 단결정 게르마늄을 성장시키는 것을 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 광 흡수층을 형성하는 것은,게르마늄을 포함하는 소스를 이용하여 제1 온도에서 일차 성장하고; 그리고,상기 게르마늄을 포함하는 소스를 이용하여 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 이차 성장하는 것을 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 일차 성장 및 이차 성장은 동일한 공정 공간에서(in-situ) 수행되는 광 검출 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제2 도전 패턴을 형성하는 것은,상기 광 흡수층 상에, 감압 화학기상증착 공정 또는 초진공 화학기상증착 공정으로, 실리콘을 포함하는 소스를 사용하여 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)을 성장시키는 것을 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제2 도전 패턴을 형성하는 것은,상기 광 흡수층 상에, 감압 화학기상증착 공정 또는 초진공 화학기상증착 공정으로, 실리콘 및 게르마늄을 포함하는 소스를 사용하여 다결정 실리콘-게르마늄 실리콘(polycrystalline silicon-germanium)을 성장시키는 것을 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 광 흡수층 및 제2 도전 패턴은 동일한 공정 공간에서(in-situ) 수행되는 광 검출 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제2 도전 패턴 및 상기 절연 패턴을 덮는 보호막을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 연결 단자들을 형성하는 것은,상기 보호막 및 상기 절연 패턴을 관통하여 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결하는 제1 연결 단자를 형성하고;상기 보호막을 관통하여 상기 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결하는 제2 연결 단자를 형성하는 것을 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 도전 패턴은 상기 절연 패턴에 의해 노출된 상기 광 흡수층의 표면을 완전히 덮는 광 검출 소자
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