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유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015089411
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 롬셀의 구조 및 동작 방법에 관한 것으로, 특히 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 구조 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 유기물 박막트랜지스터를 통해 제조된 롬셀의 읽기 및 쓰기 장치에 있어서, 워드라인에 각각 대응하는 복수의 롬셀로 이루어진 롬어레이; 쓰기 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 입력 데이터를 기록하는 쓰기 회로부; 및 선충전 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 기록된 데이터를 읽는 읽기 회로부를 포함하되, 상기 롬어레이는, 워드라인, 반전 워드라인, 읽기 회로부와 쓰기 회로부를 연결되어 데이터를 기록 및 읽을 수 있도록 하는 비트라인 및 커패시터와 연결된 접지단을 구비한 트랜스미션 게이트의 롬셀로 이루어져, 쓰기 동작시 쓰기 회로부의 입력 데이터로 커패시터의 파괴 가능한 특정 레벨의 전압이 인가되면, 커패시터가 파괴되면서 선택되는 워드라인에 연결된 롬셀에 입력 데이터가 기록되고, 읽기 동작시 읽기 회로부에 따라 상기 특정 레벨 이하의 전압이 인가되어 데이터가 읽혀지는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치 및 방법을 제공한다.
Int. CL G11C 7/10 (2006.01) G11C 17/18 (2006.01) G11C 17/08 (2006.01)
CPC G11C 17/08(2013.01) G11C 17/08(2013.01) G11C 17/08(2013.01) G11C 17/08(2013.01)
출원번호/일자 1020110018031 (2011.02.28)
출원인 충북대학교 산학협력단, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1234598-0000 (2013.02.13)
공개번호/일자 10-2012-0098224 (2012.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양병도 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 류근철 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 민제중 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 성시우 대한민국 경상북도 상주시 복룡*길 **
5 오재문 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
6 유인규 대한민국 대전광역시 유성구
7 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
8 정순원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
2 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0146483-80
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0018775-86
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0243461-84
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0318649-07
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0029650-30
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0468041-68
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0835508-40
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0835507-05
10 등록결정서
Decision to grant
2013.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0072151-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기물 박막트랜지스터를 통해 제조된 롬셀의 읽기 및 쓰기 장치에 있어서, 워드라인에 각각 대응하는 복수의 롬셀로 이루어진 롬어레이;쓰기 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 입력 데이터를 기록하는 쓰기 회로부; 및선충전 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 기록된 데이터를 읽는 읽기 회로부를 포함하되,상기 롬어레이는, 워드라인 및 반전 워드라인과, 읽기 회로부와 쓰기 회로부를 연결되어 데이터를 기록 및 읽을 수 있도록 하는 비트라인에 연결된 트랜스 미션 게이트 스위치, 및 상기 트랜스미션 게이트 스위치를 접지단에 연결하는 커패시터를 구비한 롬셀로 이루어져, 쓰기 동작시 쓰기 회로부의 입력 데이터로 상기 커패시터의 파괴 가능한 특정 레벨의 전압이 인가되면, 상기 커패시터가 파괴되면서 선택되는 워드라인에 연결된 롬셀에 입력 데이터가 기록되고, 읽기 동작시 읽기 회로부에 따라 상기 특정 레벨 이하의 전압이 인가되어 데이터가 읽혀지는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치
2 2
제1 항에 있어서, 상기 읽기 회로부는,선충전 시그널에 의해 턴온되어, 동작전원으로 상기 특정 레벨의 전압을 출력하는 제1 스위치;특정 레벨 이하의 전압을 고려하여 설정된 기준 전압을 발생하는 기준 전압 발생기; 및상기 기준 전압에 의해 턴온되어, 제1 스위치를 통해 출력되는 상기 특정 레벨의 전압을 특정 레벨 이하의 전압으로 출력하는 제2 스위치를 포함하여 상기 제2 스위치를 통해 출력되는 특정 레벨 이하의 전압을 비트라인에 연결된 롬어레이의 롬셀에 인가하여 데이터를 읽고, 롬셀을 충전하는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치
3 3
제2 항에 있어서, 상기 읽기 회로부는,상기 제1 스위치의 상기 특정 레벨의 전압과 읽기 시그널을 입력받아 부정논리곱 연산을 통해 읽은 데이터를 출력하는 부정논리곱 게이트(NAND gate)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치
4 4
제2 항에 있어서, 상기 제1, 제2 스위치는, NMOS 또는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치
5 5
제1 항에 있어서, 상기 쓰기 회로부는,상기 쓰기 시그널에 의해 턴온되어, 입력 데이터를 비트라인을 통해 롬셀에 전송하는 제3 스위치를 포함하여 롬셀로 전송된 입력 데이터가 기록되는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치
6 6
제2 항의 유기물 박막트랜지스터를 통해 제작된 롬셀의 읽기/쓰기 장치를 이용한 읽기 및 쓰기 방법에 있어서, 쓰기 동작시, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀의 커패시터로 커패시터가 파괴가능한 특정 레벨의 전압을 인가하여 데이터를 기록하는 단계; 및읽기 동작시, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 상기 특정 레벨 이하의 전압을 인가하여 기록된 데이터를 읽는 단계를 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국 전자통신 연구원 국내위탁연구과제 Printed RFID 회로 설계 개발