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나노결정 실리콘을 포함한 실리콘 탄화막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015089414
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노결정 실리콘을 포함한 실리콘 탄화막의 형성 방법을 제공한다. 이 형성 방법은 기판 상에 플라즈마 가스를 주입하여 나노결정 실리콘을 포함한 실리콘 탄화막을 형성하는 단계를 포함한다. 플라즈마 가스는 메탄(CH4) 가스 및 실란(SiH4) 가스를 포함하고, 실리콘 탄화막은 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘 옥시카바이드(SiOC)를 포함한다. 실리콘 탄화막 및 나노결정 실리콘은 동시에 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01B 31/36 (2014.01) C23C 16/50 (2014.01) C23C 16/32 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01) C23C 16/325(2013.01)
출원번호/일자 1020110083618 (2011.08.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0022438 (2013.03.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태엽 대한민국 서울특별시 은평구
2 구재본 대한민국 대전광역시 서구
3 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
4 이수재 대한민국 대전광역시 유성구
5 정순원 대한민국 대전광역시 유성구
6 백강준 대한민국 전라남도 보성군
7 유인규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0650517-88
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0036848-98
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0807281-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0807144-72
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0063001-61
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0311831-67
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0488444-06
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 플라즈마 가스를 주입하여 나노결정 실리콘을 포함한 실리콘 탄화막의 형성 방법에 있어서,상기 플라즈마 가스는 메탄(CH4) 가스 및 실란(SiH4) 가스를 포함하고,상기 실리콘 탄화막은 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘 옥시카바이드(SiOC)를 포함하되,상기 실리콘 탄화막 및 상기 나노결정 실리콘은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.