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| 요약 |
본 발명은 실리콘 기반의 TVS(Transient Voltage Suppressor) 소자 및 GaN 기반 FET(Field Effect Transistor) 소자가 실리콘 반도체 기판 상에 집적된 전력소자이다. 따라서 본 발명의 전력소자는 GaN 기반 FET 소자의 장점인 고속동작, 고전압 동작, 고전력 동작을 할 수 있고, GaN 기반 FET 소자의 단점인 EOS/ESD(Electrical Over Stress/Electrostatic Discharge)에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.
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| Int. CL |
H01L 29/772 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
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| CPC |
H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01)
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| 출원번호/일자 |
1020120000229
(2012.01.02)
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| 출원인 |
한국전자통신연구원, 주식회사 시지트로닉스
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| 등록번호/일자 |
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| 공개번호/일자 |
10-2013-0031761
(2013.03.29)
문서열기
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| 공고번호/일자 |
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| 국제출원번호/일자 |
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| 국제공개번호/일자 |
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| 우선권정보 |
대한민국 | 1020110095447 | 2011.09.21
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| 법적상태 |
공개 |
| 심사진행상태 |
수리 |
| 심판사항 |
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| 구분 |
신규 |
| 원출원번호/일자 |
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| 관련 출원번호 |
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| 심사청구여부/일자 |
N
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| 심사청구항수 |
1 |
