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유전체 층;상기 유전체 층을 관통하고, 상기 유전체 층으로 입사되는 전자기 파장대에 대해 음의 굴절을 갖는 간격으로 배치되는 나노와이어들; 및상기 나노와이어들과 상기 유전체 층사이에 형성된 코팅 층을 포함하는 메타물질 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 나노와이어들은 탄소나노튜브를 포함하는 메타물질 구조체
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제 2 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 상기 유전체 층 내에서 사각격자, 육각격자 및 랜덤 배열열되는 메타물질 구조체
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제 3 항에 있어서,상기 코팅 층 은, 금, 알루미늄, 구리, 니켈, 플랫티늄, 타이타늄 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 메타물질 구조체
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제 4 항에 있어서,상기 유전체 층은 실리콘 산화막, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 시클루레핀 코폴리머, 폴리에틸렌 타레프탈레이트, 중 적어도 하나를 포함하는 메타물질 구조체
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기판 상에 나노와이어들을 형성하는 단계;상기 나노와이어들의 외곽에 코팅 층들을 형성하는 단계;상기 코팅 층들과 상기 기판 상에 유전체 층을 형성하는 단계; 및상기 유전체 층으로부터 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 메타물질 구조체의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 나노와이어들의 형성단계는 자기조립방법을 포함하는 메타물질 구조체의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 자기조립방법은, 기판 상에 복수개의 홈들을 갖는 제 1 고분자 층을 형성하는 단계;상기 제 1 고분자 층 상에 촉매 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 나노 촉매 패턴들 상에 상기 나노와이어들을 성장시키는 단계를 포함하는 메타물질의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 촉매 패턴들을 형성하는 단계는,상기 제 1 고분자 층의 일부를 노출시키는 다공들을 갖는 제 2 고분자 층을 형성하는 단계;상기 제 1 고분자 층 및 제 2 고분자 층 상에 촉매 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 고분자 층과 상기 제 2 고분자 층 상의 촉매 층을 제거하여, 상기 제 1 고분자 층 상에 상기 촉매 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 메타물질 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 다공들은 상기 제 1 고분자 층 상에 형성되는 상기 제 2 고분자 층의 열처리에 의해 상기 제 1 고분자 층의 상기 홈들에 의해 자기정렬된 메타물질 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 기판의 분리단계는, 상기 촉매 층과, 상기 제 1 고분자 층을 제거하는 단계를 포함하는 메타물질 구조체의 제조방법
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