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터치 스크린 패널 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015090000
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널 제조 방법은 셀 영역 및 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것, 상기 셀 영역의 상기 기판 상에 제 1 방향으로 배열된 X축 전극 셀들과 상기 X축 전극 셀들을 연결하는 X축 연결 전극들을 포함하는 X축 전극들, 및 상기 X축 전극들과 이격되되, 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 배열되며 상기 X축 연결 전극들 사이에 위치하는 Y축 전극 셀들을 형성하는 것, 상기 X축 연결 전극들 상면에 절연 패턴들을 형성하는 것, 및 상기 절연 패턴들 상면에 상기 Y축 전극 셀들을 상기 제 2 방향으로 연결하는 금속 브릿지 전극들, 및 상기 배선영역 상에 금속 배선들을 동시에 형성하는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01)
CPC G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01)
출원번호/일자 1020120037150 (2012.04.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1618221-0000 (2016.04.28)
공개번호/일자 10-2013-0114821 (2013.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20160518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우석 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0284832-59
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033908-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0824705-95
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0824667-47
6 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2015.08.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2015.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0060842-86
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0668512-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1169424-52
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1169463-22
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0101351-04
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0219603-46
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.03.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0219621-68
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0270536-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것;상기 기판의 상기 셀 영역 상에 제 1 방향으로 배열된 X축 전극 셀들과 상기 X축 전극 셀들을 연결하는 X축 연결 전극들을 포함하는 X축 전극들, 및 상기 X축 전극들과 이격되되, 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 배열되며 상기 X축 연결 전극들 사이에 위치하는 Y축 전극 셀들을 형성하는 것;상기 X축 연결 전극들 상면에 절연 패턴들을 형성하는 것; 및상기 절연 패턴들 상면에 상기 Y축 전극 셀들을 상기 제 2 방향으로 연결하는 금속 브릿지 전극들, 및 상기 기판의 상기 배선영역 상에 금속 배선들을 동시에 형성하는 것을 포함하되,상기 금속 브릿지 전극들은 2μm 내지 9μm의 폭을 갖고,상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 하이브리드 물질을 포함하되,상기 하이브리드 물질은:ZnO, ZITO(ZnO+In2O3+SnO2), SiO2, ZTO, TiO2, AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), SiNx, ITO 및 IZO(In2O3+ZnO) 중 어느 하나를 포함하는 제 1 산화막; Ag, 및 Ag 합금 중 어느 하나를 포함하는 금속막; 및IZTO, IZO, AZO, 및 GZO 중 어느 하나를 포함하는 제 2 산화막을 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 화학적으로 처리된 강화유리 기판, 플라스틱 기판, 강화필름 이 코팅된 PC 기판, 및 PET 기판 중 어느 하나인 터치 스크린 패널 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 X축 전극들과 상기 Y축 전극 셀들을 형성하기 전에, 상기 기판 상면에 제 1 완충층 및 제 2 완충층을 차례로 형성하는 것을 더 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 완충층은 고 굴절률 투명 절연체이며, 상기 제 2 완충층은 저 굴절률 투명 절연체인 터치 스크린 패널 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 금속 브릿지 전극들과 상기 금속 배선들은 동일 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속 브릿지 전극들 및 상기 금속 배선들은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 절연 패턴들은 상기 X축 연결 전극들의 양 옆에 배치된 상기 Y축 전극 셀들의 일부분을 덮는 터치 스크린 패널 제조 방법
10 10
셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것;상기 기판의 상기 셀 영역 상에 일정한 간격으로 나열되는 금속 브릿지 전극들과 상기 기판의 상기 배선영역 상에 금속 배선들을 동시에 형성하는 것; 상기 금속 브릿지 전극들 상면에 절연 패턴들을 형성하는 것; 및상기 절연 패턴 상에 제 1 방향으로 배열된 X축 전극 셀들과 상기 X축 전극 셀들을 연결하는 X축 연결 전극들을 포함하는 X축 전극들, 및 상기 제 1 방향으로 수직인 제 2 방향으로 배열되며 상기 절연 패턴들 사이에 Y축 전극 셀들을 형성하는 것을 포함하되,상기 금속 브릿지 전극들은 2μm 내지 9μm의 폭을 갖고,상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 하이브리드 물질을 포함하되,상기 하이브리드 물질은:ZnO, ZITO(ZnO+In2O3+SnO2), SiO2, ZTO, TiO2, AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), SiNx, ITO 및 IZO(In2O3+ZnO) 중 어느 하나를 포함하는 제 1 산화막; Ag, 및 Ag 합금 중 어느 하나를 포함하는 금속막; 및IZTO, IZO, AZO, 및 GZO 중 어느 하나를 포함하는 제 2 산화막을 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 절연 패턴들은 상기 금속 브릿지 전극들의 양끝단을 노출시키는 터치 스크린 패널 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 절연 패턴들 상면에 상기 X축 연결 전극들이 배치되도록 형성하는 터치 스크린 패널 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 금속 브릿지 전극들과 상기 금속 배선들은 동일 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 금속 브릿지 전극들 및 상기 금속 배선들은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중의 어느 하나의 물질로 형성되는 터치 스크린 패널 제조 방법
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 정보통신산업융합원천기술개발사업 윈도우 일체형 30인 치급 터치센서개발