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기판 상에 상부 절연패턴을 형성하는 단계;상기 기판을 식각하여 상기 기판으로부터 돌출된 돌출부를 형성하는 단계;상기 돌출부의 측면을 덮는 측면 절연패턴을 형성하는 단계;상기 기판을 열산화하여 하면 절연패턴을 형성하여, 상기 상부, 측면 및 하부 절연패턴들로 둘러쌓인 코어패턴을 형성하는 단계; 및상기 상부 및 측면 절연패턴들을 제거하는 단계를 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판, 상기 돌출부, 및 상기 코어패턴은 실리콘(Si)이고, 상기 하부 절연패턴은 실리콘 산화막(SiO2)인 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 및 측면 절연패턴들은 실리콘 질화막(SiN)인 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 절연패턴을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 돌출부를 정의하는 단계; 및상기 돌출부를 제외한 상기 제1 절연막을 제거하는 단계를 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 돌출부를 형성하는 단계는 상기 상부 절연패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 기판에 리세스들을 형성하는 단계; 및상기 리세스들에 의해 상기 상부 절연패턴 아래에 자기 정렬된 상기 기판의 돌출부를 형성하는 단계를 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 측면 절연패턴을 형성하는 단계는 상기 기판 및 상기 상부 절연패턴 상에 제2 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 절연막을 상기 리세스들이 노출될때까지 식각하는 단계; 및상기 상부 절연패턴 및 상기 돌출부의 측면을 따라 자기 정렬된 측면 절연패턴을 형성하는 단계를 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제2 절연막을 상기 리세스들이 노출될때까지 식각하는 단계는 건식 식각 공정을 이용하는 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 측면 절연패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 상부 및 측면 절연패턴들을 식각 마스크로 이용하여 상기 기판을 더 리세스하여, 상기 돌출부의 높이를 증가시키는 단계를 더 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 절연패턴을 형성하는 단계는 상기 기판에 열산화 공정을 수행하여 상기 기판의 일부를 산화막으로 변환시키는 단계를 포함하되,상기 돌출부의 일부는 산화막으로 변환되지 않고 잔존할 때까지 열산화 공정이 수행되어, 상기 하부 절연패턴과 구분되는 코어패턴을 형성하는 단계를 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 열산화 공정은 상기 코어패턴과 상기 하부 절연패턴의 두께비가 0
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제 1 항에 있어서,상기 상부 및 측면 절연패턴을 제거하는 단계는 습식 식각 공정을 이용하는 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 및 측면 절연패턴을 제거하는 단계 이후에, 상기 기판을 열산화하여 상기 코어패턴의 모양 및 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 및 측면 절연패턴을 제거하는 단계 이후에, 상기 기판 및 상기 코어패턴을 덮는 클래드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광도파로 형성 방법
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제 13 항에 있어서,상기 클래드층은 실리콘 산화막(SiO2)인 광도파로 형성 방법
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