| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 배치되고 산화 티타늄, 산화 네오븀, 산화 지르코늄, 산화 탄탈륨 또는 산화 하프늄 중 적어도 하나인 고 굴절률의 금속 산화물을 포함하는 제 1 버퍼 층;상기 제 1 버퍼 층 상에 배치되고 상기 제 1 버퍼 층의 굴절률보다 낮은 저굴절률의 산탄화 실리콘을 포함하는 제 2 버퍼 층;상기 제 2 버퍼 층 상에 배치되고, 제 1 방향으로 연장하는 제 1 전극들;상기 제 1 전극들 각각의 일부 상에 배치되는 층간 절연막; 및상기 층간 절연막에 인접하는 상기 제 1 전극들 사이의 상기 제 2 버퍼 층 상에 배치된 분리 전극들과, 상기 분리 전극들의 일부와 상기 층간 절연막 상에 배치되어 상기 분리 전극들을 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연결하는 브릿지 전극들을 포함하는 제 2 전극들을 포함하되,상기 층간 절연막은 상기 제 2 버퍼 층과 동일한 상기 산탄화 실리콘을 포함하는 터치 스크린
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극들 및 제 2 전극들의 각각은 투명 금속을 포함하는 터치 스크린
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 투명 금속은 인듐주석 산화물 또는 인듐아연 산화물 또는 갈륨아연 산화물을 포함하는 터치 스크린
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 브릿지 전극들은 몰리브데늄, 크롬(Cr)/은(Ag), 또는 니켈(Ni)/은(Ag)을 포함하는 터치 스크린
|
| 10 |
10
스퍼터링 방법을 사용하여 기판 상에 금속 산화물을 포함하는 제 1 버퍼 층을 형성하는 단계;상기 제 1 버퍼 층 상에 상기 스퍼터링 방법을 사용하여 산탄화 실리콘을 포함하는 제 2 버퍼 층을 형성하는 단계;상기 스퍼터링 방법을 사용하여 상기 제 2 버퍼 층 상에 제 1 방향의 제 1 전극들과, 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 상기 제 1 전극들에 의해 분리된 분리 전극들을 형성하는 단계;상기 분리 전극들 사이의 상기 제 1 전극들의 일부 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 스퍼터링 방법을 사용하여 상기 분리 전극들 사이를 연결하는 브릿지 전극을 상기 층간 절연막 상에 형성하는 단계를 포함하되,상기 층간 절연막은 상기 제 1 및 제 2 버퍼 층들, 상기 제 1 전극들, 상기 분리 전극들 및 상기 브릿지 전극과 동일한 방법의 상기 스퍼터링 방법으로 형성된 산탄화 실리콘을 포함하는 터치 스크린의 제조방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 산탄화 실리콘은 상기 제 1 전극들과 상기 분리 전극들 대비 30배 내지 60배 이상으로 제거하는 제 1 식각 선택비를 갖는 제 1 식각 용액에 의해 식각되는 터치 스크린의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 식각 용액은 완충 산화막 식각액(Buffered oxide etchant)을 포함하는 터치 스크린의 제조방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 완충 산화막 식각액은 불화 암모니와 불산의 제 1 혼합 용액을 포함하는 터치 스크린의 제조방법
|
| 14 |
14
제 10 항에 있어서,상기 산탄화 실리콘은 상기 브릿지 전극 대비 2배 내지 4배로 잔존시키는 제 2 식각 선택비를 갖는 제 2 식각 용액에 의해 식각되는 터치 스크린의 제조방법
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 제 2 식각 용액은 인산과 질산과 초산을 주성분으로 하는 화합물에 염소계, 인산염계, 리튬계, 질화염계 화합물을 소량 포함하는 제 2 혼합 용액을 포함하는 터치 스크린의 제조방법
|
| 16 |
16
제 10 항에 있어서,상기 층간 절연막은, 리프트 오프 방법으로 형성되는 터치 스크린의 제조방법
|
