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산화물 반도체 형성방법

  • 기술번호 : KST2015091922
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 반도체 형성방법을 제공한다. 이 산화물 반도체 형성방법은 금속 원자를 포함한 화합물 및 용매를 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계, 상기 혼합 용액에 기판을 담그는 단계, 상기 혼합 용액에 초음파를 조사하여 상기 기판 상에 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01)
출원번호/일자 1020130144632 (2013.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2169628-0000 (2020.10.19)
공개번호/일자 10-2015-0060328 (2015.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20201023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오힘찬 대한민국 서울 관악구
2 황치선 대한민국 대전 유성구
3 양종헌 대한민국 대전 유성구
4 추혜용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1078532-04
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048858-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1179566-19
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1179567-65
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0082256-01
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0342403-02
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0342402-56
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0618223-77
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1058695-00
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2020.10.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-1058696-45
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2020.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0703107-51
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번호 청구항
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게이트 상의 게이트 절연막을 형성하여 기판을 준비하는 것;상기 기판을 금속 원자를 포함한 화합물, 용매, 안정제 및 도핑 물질을 혼합하여 제조된 혼합 용액 내에 담그는 것; 및상기 혼합 용액에 초음파를 조사하여 상기 기판 상에 산화물 반도체를 형성하는 것; 및열증착(thermal evaporator)을 이용하여 상기 산화물 반도체 상에 소오스 및 드레인을 형성하는 것을 포함하되,상기 금속 원자를 포함한 화합물은 아연 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate) 및 틴 클로라이드 디하이드레이트(tin chloride dehydrate)을 포함하고,상기 안정제는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide), 하이드로클로릭 산(hydrochloric acid), 니트릭 산(nitric acid), 암모늄 하이드록사이드(ammonium hydroxide), 포타쥼 하이드록사이드(potassium hydroxide), 및 아소듐 하이드록사이드(asodium hydroxide) 중 어느 하나를 포함하고,상기 도핑 물질은 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 붕소(B), 및 니켈(Ni) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,인듐(In) 원소의 첨가 없이 상기 산화물 반도체를 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 게이트는 고농도로 도핑된 실리콘 기판이고,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 산화물 반도체 형성 후에, 대기 중에서 열처리 공정을 수행하는 것을 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 산화물 반도체는 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 금속 원자는 아연, 인듐, 갈륨, 주석, 및 알루미늄 중 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI연구개발지원사업) 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 (Light Adaptable Space Adaptable；LASA) 디스플레이 신모드 핵심원천기술 개발