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전자회로의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015091968
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 전자회로의 제조 방법은 기판을 준비하는 것, 상기 기판 상에 고분자막을 형성하는 것, 상기 고분자막을 패터닝하여 고분자 패턴을 형성하는 것, 및 상기 고분자 패턴 상에 전자소자를 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020130144635 (2013.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2104311-0000 (2020.04.20)
공개번호/일자 10-2015-0061159 (2015.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20200427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.24)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정순원 대한민국 대전 유성구
2 구재본 대한민국 대전 서구
3 박찬우 대한민국 대전광역시 유성구
4 나복순 대한민국 대전 중구
5 임상철 대한민국 대전 유성구
6 이상석 대한민국 세종 나리*로 **, ***
7 조경익 대한민국 대전 유성구
8 추혜용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1078543-06
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048858-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0508856-50
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0114795-37
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0756571-29
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1315976-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-1315975-72
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0262842-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소자영역 및 소자영역을 제외한 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것;상기 기판 상에 고분자막을 형성하는 것;상기 고분자막을 패터닝하여 상기 소자영역에 고분자 패턴을 형성하는 것;상기 고분자 패턴 상에 전자소자를 형성하는 것; 및상기 배선영역 상에 금속 배선을 형성하는 것을 포함하되,상기 금속 배선은 상기 배선영역 상에 컨포말하게 형성되고, 상기 고분자 패턴의 상부면으로 연장되어 상기 고분자 패턴과 상기 전자소자 사이에 제공되는 전자회로의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고분자막을 패터닝하여 상기 고분자 패턴을 형성하는 것은,상기 고분자막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 상기 고분자막의 일부를 식각하는 것; 상기 포토레지스트 패턴을 선택적으로 제거하는 것; 및상기 고분자 패턴을 경화하기 위해 열처리 공정을 진행하는 것을 포함하는 전자회로의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 고분자막은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 전자회로의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전자소자를 형성하기 전에, 상기 기판의 배선영역에 오목한 표면과 볼록한 표면을 교대로 그리고 반복적으로 갖도록 형성하는 것을 포함하는 전자회로의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 배선은 오목한 표면과 볼록한 표면을 교대로 그리고 반복적으로 가지도록 형성되는 전자회로의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 고분자 패턴의 일측면으로 연장된 상기 금속 배선과 상기 고분자 패턴의 타측면으로 연장된 상기 금속 배선은 서로 이격되도록 형성되는 전자회로의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 고분자 패턴은 서로 마주보는 제 1 고분자 패턴 및 제 2 고분자 패턴을 포함하되,상기 제 1 고분자 패턴의 일측면 상으로 연장된 상기 금속 배선과 상기 제 2 고분자 패턴의 타측면 상으로 연장된 상기 금속 배선은 전기적으로 연결되어, 상기 제 1 고분자 패턴 상에 형성된 전자회로와 상기 제 2 고분자 패턴 상에 형성된 전자회로는 전기적으로 연결되는 전자회로의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 전자소자를 형성하는 것은,상기 고분자 패턴 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것;상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 반도체층을 형성하는 것;상기 고분자 패턴 상에 상기 소오스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체층을 덮는 게이트 절연층을 형성하는 것; 및상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 것을 포함하는 전자회로의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기판을 준비하는 것은 상기 기판의 일부 영역에 오목한 표면과 볼록한 표면을 교대로 그리고 반복적으로 갖는 배선영역과 상기 배선영역에 의해 정의되는 소자영역을 형성하는 것을 포함하는 전자회로의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 소자영역은 평평한 표면 또는 오목한 표면과 볼록한 표면을 교대로 그리고 반복적으로 갖는 전자회로의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 고분자막을 패터닝하여 상기 고분자 패턴을 형성하는 것은,상기 기판의 상기 소자영역 상에 포토레지스트 패턴을 형성하여 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 기판의 상기 배선영역 상에 형성된 상기 고분자막의 일부분을 식각하는 것을 포함하는 전자회로의 제조 방법
12 12
제 1 기판을 준비하는 것;상기 제 1 기판 상에 희생막 및 고분자막을 차례로 형성하는 것;상기 고분자막을 패터닝하여 상기 희생막 상에 고분자 패턴을 형성하는 것; 상기 희생막 상에 상기 고분자 패턴을 덮는 제 2 기판을 형성하는 것, 상기 제 2 기판은 상기 고분자 패턴이 형성된 소자영역 및 상기 소자영역을 제외한 배선영역을 포함하고;상기 제 2 기판을 상기 희생막으로부터 분리하여 상기 고분자 패턴이 매립된 상기 제 2 기판을 형성하는 것; 상기 고분자 패턴 상에 전자소자를 형성하는 것; 및상기 제 2 기판의 상기 배선영역 상에 금속 배선을 형성하는 것을 포함하되,상기 금속 배선은 상기 배선영역 상에 컨포말하게 형성되고 상기 고분자 패턴의 표면으로 연장되어 상기 전자소자와 전기적으로 연결되는 전자회로의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 고분자 패턴은 경화된 폴리이미드(polyimide)로 구성된 전자회로의 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 제 2 기판을 형성하는 것은, 상기 희생막 상에 신축성 탄성중합체 물질을 도포하는 것; 및상기 신축성 탄성 중합체 물질을 열처리 공정을 통해 경화시키는 것을 포함하는 전자회로의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 신축성 탄성 중합체 물질은 PDMS(Poly-dimethyllesilloxane)인 전자회로의 제조 방법
16 16
제 12 항에 있어서,상기 전자소자를 형성하기 전에, 상기 제 2 기판의 배선영역에 교대로 그리고 반복적으로 갖는 오목한 표면과 볼록한 표면을 형성하는 것을 포함하는 전자회로의 제조 방법
17 17
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI연구개발지원사업) 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 (Light Adaptable Space Adaptable；LASA) 디스플레이 신모드 핵심원천기술 개발