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양성자의 밀도가 상대적으로 높게 형성된 양성자층;전자 밀도가 상대적으로 높게 형성된 전자층; 및상기 양성자층과 상기 전자층 사이에 위치하고, 전기적으로 중성인 중성층을 포함하는 레이저 이온 가속용 박막
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제 1 항에 있어서,상기 양성자층은 고밀도의 양성자를 포함하고, 브레그 피크(Bragg peak) 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 이온 가속용 박막
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제 1 항에 있어서,상기 전자층은 고밀도의 전자들을 포함하고, 브레그 피크(Bragg peak) 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 이온 가속용 박막
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제 1 항에 있어서,상기 레이저 이온 가속용 박막은 상기 양성자층에 펨토초 고출력 레이저가 입사될 때, 고에너지를 갖는 양성자를 발생시키는 것을 특징으로 하는 레이저 이온 가속용 박막
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제 1 항에 있어서,상기 레이저 이온 가속용 박막은 약 1 마이크로미터 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 이온 가속용 박막
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제 1 항에 있어서,상기 양성자층과 상기 전자층은 주기율표 상의 원소들 중 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 이온 가속용 박막
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박막을 고정하는 박막 홀더;상기 박막의 일측면에 위치하고, 상기 박막의 일면에 양성자를 주입하는 양성자 주입기; 및상기 박막의 다른 측면에 위치하고, 상기 박막의 다른 일면에 전자를 주입하는 전자 주입기를 포함하는 레이저 이온 가속용 박막의 제조 장치
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제 7 항에 있어서,제어 신호 입력에 의해 상기 양성자 주입기의 양성자 주입 밀도와 상기 전자 주입기의 전자 주입 밀도를 조절하는 제어부를 더 포함하는 제조 장치
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제 7 항에 있어서,상기 양성자 주입기는 상기 양성자의 주입을 통해 상기 박막의 일측면에 고밀도의 양성자층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 제조 장치
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제 9 항에 있어서,상기 양성자층은 브레그 피크 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 제조 장치
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제 7 항에 있어서,상기 전자 주입기는 상기 전자의 주입을 통해 상기 박막의 일측면에 고밀도의 전자층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 제조 장치
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제 11 항에 있어서,상기 전자층은 브레그 피크 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 제조 장치
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펨토초의 레이저빔을 생성하는 레이저; 및상기 펨토초의 레이저빔의 입사에 의해 고에너지를 갖는 양성자를 생성하는 레이저 이온 가속용 박막을 포함하고,상기 레이저 이온 가속용 박막은양성자의 밀도가 상대적으로 높게 형성된 양성자층; 전자 밀도가 상대적으로 높게 형성된 전자층; 및상기 양성자층과 상기 전자층 사이에 위치하고, 전기적으로 중성인 중성층을 포함하는 레이저 이온 가속용 박막을 이용한 치료 장치
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제 13 항에 있어서,상기 펨토초의 레이저빔을 상기 레이저 이온 가속용 박막의 초점 거리로 포커싱하는 포커싱 유닛을 더 포함하는 치료 장치
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제 13 항에 있어서,상기 전자층은 고밀도의 전자들을 포함하고, 브레그 피크(Bragg peak) 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 치료 장치
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제 13 항에 있어서,상기 양성자층은 고밀도의 양성자를 포함하고, 브레그 피크(Bragg peak) 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 치료 장치
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제 13 항에 있어서,상기 레이저 이온 가속용 박막은 약 1 마이크로미터 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 치료 장치
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제 13 항에 있어서,상기 치료 장치는 상기 고밀도와 고에너지를 갖는 양성자를 종양의 위치에 집적시켜 상기 종양을 제거하는 것을 특징으로 하는 치료 장치
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