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기판;상기 기판 상에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성되고, 개구부를 포함하는 절연막; 및상기 절연막 상부에 형성되는 티형 게이트 전극;을 포함하는 고 전자이동도 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기판은 에피성장층을 포함하는 고저항성 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 개구부는 0
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제1항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터
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기판 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 상기 기판의 일부를 노출시키는 제1 개구부를 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 개구부 내부에 상기 기판의 일부를 노출시키는 제2 개구부를 포함하는 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 개구부 내부에 상기 기판의 일부를 노출시키는 제3 개구부를 포함하는 제3 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 절연막, 상기 제2 절연막 및 상기 제3 절연막의 일부를 식각하여 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 노출시키는 단계; 및상기 제1 절연막, 상기 제2 절연막 및 상기 제3 절연막으로 이루어진 지지 구조물 상에 티형 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 제1 개구부를 포함하는 제1 절연막을 형성하는 단계는,상기 기판 전면에 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 절연막 상에 감광막을 형성하는 단계;상기 감광막에 노광 및 현상 공정을 실시하여 상기 제1 개구부의 선폭만큼 상기 제1 절연막의 일부를 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제1 절연막의 일부를 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 절연막의 일부를 식각하는 단계에서,반응성 이온 식각을 통해 상기 제1 절연막의 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 제2 개구부를 포함하는 제2 절연막을 형성하는 단계는,상기 기판 전면에 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 절연막의 일부를 식각하여 상기 제2 개구부의 선폭만큼 상기 기판의 일부를 노출시키는 단계; 및감광막 패턴 및 상기 감광막 패턴 상의 제2 절연막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제2 개구부의 선폭만큼 기판의 일부를 노출시키는 단계에서,반응성 이온 식각을 통해 상기 제2 절연막의 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 감광막 패턴 상의 제2 절연막을 제거하는 단계에서,아세톤을 이용한 리프트-오프 공정을 통해 상기 감광막 패턴 및 상기 감광막 패턴 상의 제2 절연막을 제거하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 제3 개구부를 포함하는 제3 절연막을 형성하는 단계는,상기 기판 전면에 제3 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제3 절연막의 일부를 식각하여 상기 제3 개구부의 선폭만큼 상기 기판의 일부를 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 제3 개구부의 선폭만큼 기판의 일부를 노출시키는 단계에서,반응성 이온 식각을 통해 상기 제3 절연막의 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 티형 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 지지 구조물이 노출되는 형상반전용(Image Reversal) 감광막을 형성하는 단계; 및상기 기판 전면에 게이트 전극용 금속을 증착하고 리프트-오프하여 티형 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 전자이동도 트랜지스터의 제조 방법
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