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이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015093534
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 본 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 에미터캡층, 에미터층, 베이스층, 컬렉터층, 부컬렉터층을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 감광막을 식각마스크로 사용하여 에미터 캡층 상에 에미터 전극을 형성하는 단계; 상기 에미터 전극을 마스크로 이용하여 결정면에 따른 이방성 식각을 이용하여 상기 에미터캡층 및 상기 에미터층을 식각하여 상기 베이스층을 노출시키는 단계; 상기 노출된 베이스층의 상부에 상기 에미터 전극과 자기 정렬되는 베이스 전극을 형성하는 단계; 상기 베이스 전극을 마스크로 이용하여 상기 베이스층 및 컬렉터층을 식각하여 상기 부컬렉터층을 노출시키는 단계; 상기 부컬렉터 층 상에 컬렉터 전극을 형성한 후 상기 부컬렉터층과 상기 기판을 식각하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 메사 형태의 에미터와 베이스 전극간의 간격을 최소화하고 재현성 있게 제어할 수 있으며, 고주파 특성이 우수한 자기정렬 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다. 이종 접합 바이폴라 트랜지스터, 자기정렬, 이방성 식각
Int. CL H01L 29/737 (2006.01) H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1020070050022 (2007.05.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0832816-0000 (2008.05.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060122350   |   2006.12.05
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종민 대한민국 대전 서구
2 민병규 대한민국 대전 유성구
3 김성일 대한민국 대전 서구
4 주철원 대한민국 대전 유성구
5 이경호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0376875-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028737-18
4 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0266447-81
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 상에 에미터캡층, 에미터층, 베이스층, 컬렉터층, 부컬렉터층을 형성하는 단계;상기 기판 상에 감광막을 식각마스크로 사용하여 상기 에미터 캡층 상에 에미터 전극을 형성하는 단계;상기 에미터 전극을 마스크로 이용하여 결정면에 따른 이방성 식각을 이용하여 상기 에미터캡층 및 상기 에미터층을 식각하여 상기 베이스층을 노출시키는 단계;상기 노출된 베이스층의 상부에 상기 에미터 전극과 자기 정렬되는 베이스 전극을 형성하는 단계;상기 베이스 전극을 마스크로 이용하여 상기 베이스층 및 컬렉터층을 식각하여 상기 부컬렉터층을 노출시키는 단계;상기 부컬렉터 층 상에 컬렉터 전극을 형성한 후 상기 부컬렉터층과 상기 기판을 식각하는 단계를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 에미터캡층 및 상기 에미터층을 식각하는 단계에서는 상기 이방성 식각을 이용하여 결정면에 따라 상기 에미터캡층 및 상기 에미터층을 순경사 및 역경사 방향으로 순차적으로 식각하여 메사형태의 에미터를 형성하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 베이스층 및 컬렉터층을 식각하는 단계에서는 상기 베이스 전극을 마스크로 이용하고, 결정면에 따른 상기 이방성 식각을 이용하여 상기 베이스층 및 컬렉터층을 식각하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 이방성 식각은 인산(H3PO4):과산화수소수(H2O2):물(H2O)로 이루어진 식각 용액을 이용하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
5 5
제3항에 있어서,상기 이방성 식각에 의해 상기 베이스 전극의 내부에 관통홀이 형성되는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 부컬렉터층과 상기 기판을 식각하여 소자를 분리시키는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 기판은 반절연 기판인 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.