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광검출기에 있어서, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 위에 위치하고, 양자효율을 증가시키고, N형 또는 P형 중 어느 하나의 반도체인 제 1 코어층; 상기 제 1 코어층 위에 위치하고, 진성 반도체인 광흡수층; 및 상기 광흡수층 위에 위치하고, 양자효율을 증가시키고, N형 또는 P형 중 나머지 하나의 반도체인 제 2 코어층을 포함하는 광검출기
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제 1 항에 있어서, 광신호가 광검출기의 측면으로 들어오는것을 특징으로 하는 광검출기
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제 1 또는 2 항에 있어서, 상기 제 1 코어층에 접속된 제 1 전극; 상기 제 2 코어층 위에 위치하는 클래드층; 상기 클래드층 위에 위치하는 오믹콘택층; 및 상기 오믹콘택층 위에 위치하는 제 2 전극을 추가적으로 포함하며, 상기 제 1 코어층은 N형 반도체이고, 상기 제 2 코어층은 P형 반도체인 것을 특징으로 하는 광검출기
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제 3 항에 있어서, 상기 클래드는 P형 InP이고, 상기 오믹콘택층은 P형 InGaAsP인 것을 특징으로 하는 광검출기
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제 1 또는 2 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 InP 기판인 것을 특징으로 하는 광검출기
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제 1 또는 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 2 코어층은 InGaAsP이고, 상기 광흡수층은 InGaAs인 것을 특징으로 하는 광검출기
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7
반도체 기판; 상기 반도체 기판 위에 순차적으로 적층된 N형 반도체인 제 1 코어층, 진성 반도체인 광흡수층, P형 반도체인 제 2 코어층, 클래드층 및 제 1 오믹콘택층을 포함하는 광도파로형 광검출기; 및 상기 반도체 기판 위에 순차적으로 적층된 상기 제 1 코어층과 동일한 물질인 제 1 층, 상기 광흡수층과 동일한 물질인 제 2 층, 상기 제 2 코어층과 동일한 물질인 제 3 층, 상기 클래드층과 동일한 물질인 제 4 층, 상기 제 1 오믹콘택층과 동일한 물질인 제 5 층, 고농도로 도핑된 서브콜렉터층, 저농도로 도핑된 콜렉터층, 베이스층, 에미터층 제 2 오믹콘택층을 포함하는 바이폴라트랜지스터를 포함하는 광전 집적 수신 소자
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1 코어층에 접속된 제 1 전극; 상기 제 1 오믹콘택층 위에 위치하는 제 2 전극; 상기 서브콜렉터층에 접속된 콜렉터 전극; 상기 베이스에 접속된 베이스 전극; 상기 제 2 오믹콘택층 위에 위치하는 에미터 전극을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 집적 수신 소자
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제 7 또는 8 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 InP 기판이고, 상기 제 1 코어층은 N형 InGaAsP이고, 상기 광흡수층은 진성 InGaAs이고, 상기 제 2 코어층은 P형 InGaAsP이고, 상기 클래드는 P형 InP이고, 상기 제 1 오믹콘택층은 P형 InGaAsP인 것을 특징으로 하는 광전 집적 수신 소자
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10
제 7 또는 8 항에 있어서, 상기 서브콜렉터층은 N형 InGaAs이고, 상기 콜렉터층은 N형 InGaAs이고, 상기 베이스층은 P형 InGaAs이고, 상기 에미터층은 N형 InP이고 상기 제 2 오믹콘택층은 N형 InGaAs인 것을 특징으로 하는 광전 집적 수신 소자
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11
기판상에 제 1 코어층, 광흡수층, 제 2 코어층, 클래드층, 제 1 오믹층, 서브콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터 층, 및 제 2 오믹층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제 2 오믹층 위에 에미터 전극을 형성하는 단계; 제 2 오믹층, 에미터층을 순차적으로 선택적 식각하는 단계; 상기 베이스층 위에 베이스 전극을 형성하는 단계; 상기 베이스층, 상기 콜렉터층, 및 일부의 상기 서브콜렉터층를 순차적으로 선택적 식각하는 단계; 상기 서브콜렉터층을 선택적 식각하는 단계; 상기 제 1 오믹층, 상기 클래드 층, 상기 제 2 코어층, 상기 광흡수층 및 일부의 상기 제 1 코어층을 순차적으로 선택적 식각하는 단계; 상기 제 1 코어층 및 일부의 상기 기판을 선택적 식각하는 단계; 및 상기 제 1 오믹층에 제 1 전극을, 상기 제 1 코어층에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 광전 집적 수신 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 폴리이미드를 코팅하고 사진공정을 통해 비아들을 형성하는 단계; 및 전극 패드들을 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 집적 수신 소자 제조 방법
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제 11 또는 12 항에 있어서, 상기 기판은 InP이고, 상기 제 1 코어층은 N형 InGaAsP이고, 상기 광흡수층은 진성 InGaAs이고, 상기 제 2 코어층은 P형 InGaAsP이고, 상기 클래드층은 P형 InP이고, 상기 제 1 오믹층은 P형 InGaAsP이고, 상기 콜렉터층은 저농도의 N형 InGaAs이고, 상기 서브콜렉터층은 고농도의 N형 InGaAs이고, 상기 베이스층은 P형 InGaAs이고, 상기 에미터층은 N형 InP이고, 상기 제 2 오믹층은 N형 InGaAsP인 것을 특징으로 하는 광전 집적 수신 소자 제조 방법
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제 11 또는 12 항에 있어서, 상기 기판은 InP이고, 상기 제 1 코어층은 N형 InGaAsP이고, 상기 광흡수층은 진성 InGaAs이고, 상기 제 2 코어층은 P형 InGaAsP이고, 상기 클래드층은 P형 InP이고, 상기 제 1 오믹층은 P형 InGaAsP이고, 상기 콜렉터층은 저농도의 N형 InGaAs이고, 상기 서브콜렉터층은 고농도의 N형 InGaAs이고, 상기 베이스층은 P형 InGaAs이고, 상기 에미터층은 N형 InP이고, 상기 제 2 오믹층은 N형 InGaAsP인 것을 특징으로 하는 광전 집적 수신 소자 제조 방법
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