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부성저항 기법을 이용한 초고주파 발진기

  • 기술번호 : KST2015094120
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야부성저항 기법을 이용한 초고주파 발진기2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제발진주파수의 안정도와 부하로 전달되는 에너지와 관계 있는 Q값을 높여, 증가된Q에 상응하는 저잡음, 고출력 신호를 얻을 수 있으며 부성저항발생회로의 MMIC화와 발진회로의 전체 집적화를 통해 저잡음 제작 공정의 단순화를 얻는데 있다.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명은 MIC 구조에서 마이크로스트립 공진기에 병렬결합선로를 통한 부성저항인가기법을 이용하였다. 이때 공진기의 손실을 나타내는 저항성분을 부성저항으로 상쇄시켜 언 로드 된 공진도를 높이고, 직렬궤환 구조에서 BRF 역할을 하는 공진부에서 반사선택도 개선과 손실을 보상하여 저잡음 및 고출력 발진기를 구현하는 것이다. 또한 초고주파 발진기의 전체 집적화와 그 성능 개선을 가능케 하는 것이다.4. 발명의 중요한 용도X-대역(band) 초고주파 발진기의 MMIC 발진회로에 이용됨.
Int. CL H03B 5/00 (2006.01)
CPC H03B 5/30(2013.01) H03B 5/30(2013.01) H03B 5/30(2013.01)
출원번호/일자 1019960069821 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0050973 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
2 홍의석 대한민국 서울특별시 노원구
3 이주열 대한민국 서울특별시 중랑구
4 연영호 대한민국 서울특별시 노원구
5 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
6 이진희 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231289-79
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231288-23
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231290-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231291-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0443269-10
6 출원포기서
Abandonment of Application		 1999.01.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5026298-79
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

헤어 핀(Hair-pin)공진기와, 상기 헤어 핀 공진기에 게이트 단의 마이크로스트립 선로가 결합된 발진용 MESFET, 및 상기 헤어 핀 공진기를 중심으로 상기 발진용 MESFET 게이트단의 마이크로스트립 선로와 병렬결합 구조가 되도록 내부의 MES FET드레인 단이 결합된 부성저항회로를 구비한 것을 특징으로 하는 초고주파 발진기

2 2

제 1항에 있어서, 상기 헤어 핀 공진기와 결합된 발진용 MESFET 게이트단의 마이크로스트립 선로 타측에서 헤어 핀 공진기와 부성저항 인가단을 병렬결합선로로 결합시킴으로써 대역통과필터 특성을 나타내는 공진부를 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 초고주파 발진기

3 3

제 1항에 있어서, 상기 부성저항회로의 MESFET에 드레인-소오스 전압과 게이트-소오스 전압을 동시에 인가하도록 구성하여 상기 MESFET가 부성저항을 발생시키는 능동모드동작 뿐 아니라 공진기의 리액턴스 성분을 변화시킴으로써 발진주파수를 가변시킬 수 있도록 수동모드 동작을 가능하게 하는 초고주파 발진기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.