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수직형광집적소자

  • 기술번호 : KST2015094220
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 가입자망용 광통신 단말기에 구비되어 발광 및 수광의 기능을 하나의 광소자에서 동시에 수행하는 수직형 광 집적소자에 관한 것이다. 화합물 반도체 기판(1) 상에 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖고, 1.3㎛ 파장의 광신호를 송신하하는 매립형 구조의 하부 활성층(하부 공진기)(3)파 이 위에 1.55㎛파장의 광신호를 수신하는 리지(ridge)형 구조의 상부 활성층(상부 공진기)(5)이 수직으로 적층된다. 그 공진기들 사이에 보조 광도파로(12)를 삽입하여서 하부 공진기의 레이저 광이 상부 공진기에서 흡수되는 것을 방지하면서 동시에, 하부 공진기로 입사한 1.55㎛파장의 광신호가 상부 공진기에 효율적으로 광결합되도록 한다. 또한, 음극인 하부 전극(10)파 상부 전극(9)이 기판 및 상부 공진기 위에 독립적으로 설치되고, 공통 양극전극(13)이 보조 광도파로(12) 위에 설치된 것이다. 이러한 본 발명은, 먼저 하부 공진기에서 1.3㎛ 파장의 레이저 발진이 일어나 광신호를 외부로 송 신하며 동시에 외부에서 수직형 광소자로 입력되는 1.55㎛ 파장의 광신호는 하부공진기에 입사한 후 1.55㎛ 파장의 괌을 흡수하는 상부 공진기로 결합됨으로써 광신호 수신이 일어난다. 이와 같이 광신호 송신 및 수신 기능을 동시에 수행함으로써 광 가입자망에서 광통신 단말기를 구성하는 개별 LD 및 PD 광소자를 대체한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1019980016754 (1998.05.11)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0289043-0000 (2001.02.14)
공개번호/일자 10-1999-0084770 (1999.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20010601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.05.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
2 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
3 조호성 대한민국 부산광역시 동래구
4 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0053077-45
2 특허출원서
Patent Application		 1998.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0053075-54
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0053076-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 선행기술조사 보고서
Report of Prior Art Search		 2000.04.20 수리 (Accepted) 9-1-2000-0000733-94
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0185635-48
8 의견서
Written Opinion		 2000.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5296814-87
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5296888-44
10 등록사정서
Decision to grant		 2001.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0009680-44
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광 가입자망용 광통신 단말기에 구비되는 광 집적소자에 있어서, 화합물 반도체 기판 상에 설치되어 순방향 전류주입으로 단파장의 광신호를 송신하면서 동시에 장파장의 광신호가 입사하는 하부 공진기와; 상기 하부 공진기 위에 수직으로 적층되어 역방향 바이어스가 인가될 때 상 기 하부 공진기로 입사한 장파장의 광신호를 광결합하여 검출하는 상부 공진기와;상기 하부 및 상부 공진기 사이에 설치되어 상기 하부 공진기에서 송신하는 단파장의 광신호가 그 상부 공진기로 흡수됨을 차단하고, 상기 하부 옹진기에 입사하는 장파장 광신호가 효율적으로 상부 공진기로 광결합되도록 하는 보조 광도파로를 포함하고, 상기 순방향 전류 주입 및 역방향 바이어스를 인가하기 위해 상기 기판 및 상부 공진기 상부에 독립된 음극이 각각 구비되고 상기 보조 광도파로면에 공통 양극이 구비되어, 상기 하나의 광소자에서 단파장 발광 및 장파장 수광을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 수직형 광 집적소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 하부 공진기는 매립형 구조이고, 상기 상부 공진기는 리지(ridge)형 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 수직형 광 집적소자

3 3

제2항에 있어서, 상기 하부 공진기는 그 매립형 구조내의 하부 활성층으로 구성되고, 상기 상부 공진기는 리지(ridge)형 구조내의 상부 활성층으로 구성되며, 하부 활성층의 밴드갭 에너지가 상기 상부 활성층의 밴드갭 에너지 보다 큰 것을 특징으로 하는 수직형 광 집적소자

4 4

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 보조 광도파로는 상부, 하부 공진기 사이의 중앙 클래드층 사이에 삽입되고, 상기 하부 활성층 보다는 작고 상기 상부 활성층 보다는 큰 밴드갭 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 광 집적소자

5 5

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 공진기들 및 보조 광도파로에 대한 전파상수를 보정하기 위해 상기 보조 광도파로, 상기 하부 활성층 및 상기 상부 활성층 중 적어도 어느 하나에, 깊이는 0

6 6

제1항에 있어서, 상기 하부 공진기와 보조 광도파로 사이의 간격은 0

7 7

제1항에 있어서, 상기 보조 광도파로는 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.