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화합물 반도체 소자의 미세 티형 게이트 형성방법

  • 기술번호 : KST2015094238
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기술분야에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법에 관한 것이며, 미세한 T형 게이트를 안정적인 구조로 용이하게 형성할 수 있는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명은 T형 게이트 형성을 위한 희생막(예를 들어, 실리콘 질화막) 증착시 증착 온도를 점진적으로 변화시켜 다층의 박막을 증착하고, 이후 습식식각시 증착 온도에 따른 층간의 식각속도차를 이용하며, 또 전자빔 레지스트 패턴이 높은 온도에서 흘러내리는 플로우(flow) 특성을 이용하여 안정적인 구조를 가지는 계단형 미세 T형 게이트를 형성한다. 즉, 본 발명은 게이트 다리와 머리부위가 만나는 부분을 계단형 구조로 형성하여 게이트 다리와 머리의 끊어짐을 방지하고, 절연막이 게이트 다리를 양쪽에서 지지하고 있기 때문에 미세한 게이트 다리와 면적이 큰 T형 게이트 전극을 들뜸 없이 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
출원번호/일자 1019980020845 (1998.06.05)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0262941-0000 (2000.05.09)
공개번호/일자 10-2000-0000904 (2000.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.06.05)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병선 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
3 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.06.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0065739-98
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.06.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0065740-34
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.06.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0065741-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 등록사정서
Decision to grant		 2000.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0090529-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

소정의 하부층이 형성된 화합물 반도체 기판상에 제1 절연막을 형성하는 제1 단계;

상기 제1 절연막상에 다수층의 제2 절연막을 형성하되, 습식식각률이 최상부층으로 갈수록 증가되도록 형성하는 제2 단계;

상기 제2 절연막상에 게이트 다리 패턴 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 제3 단계;

상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 다수층의 제2 절연막 및 상기 제1 절연막을 건식식각하는 제4 단계;

상기 다수층의 제2 절연막을 습식식각하여 계단형 프로파일을 이루는 제5 단계;

상기 포토레지스트 패턴을 플로우시켜 게이트 형성 영역을 오픈시키는 제6 단계;

전체구조 상부에 상기 게이트 전도층을 형성하는 제7 단계; 및

상기 포토레지스트 패턴을 리프트-오프하여 게이트를 형성하는 제8 단계

를 포함하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 포토레지스트 패턴이 전자빔 포토레지스트 패턴인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제6 단계 수행후, 상기 화합물 반도체 기판에 게이트 리세스를 형성하는 제9 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

4 4

제 2 항에 있어서,

상기 제2 단계 수행후, 전체구조 상부에 리소그라피 보조막을 형성하는 제10 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

5 5

제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제1 절연막이 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

6 6

제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제2 절연막이 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 제2 단계에서, 상기 다수층의 제2 절연막 각각의 증착 온도를 최상부로 갈수록 저감시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

8 8

제 4 항에 있어서,

상기 리소그라피 보조막이 알루미늄막인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

9 9

제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,

상기 전자빔 포토레지스트 패턴이 폴리메틸 메타킬레이트(PMMA) 포토레지스트 패턴인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 제6 단계에서, 상기 포토레지스트 패턴의 플로우는 적어도 160℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

11 11

제 7 항에 있어서,

상기 제5 단계에서, 버퍼드 옥사이드 에천트(BOE) 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 미세 T형 게이트 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.