InP기판(1) 위에 InP버퍼층(2)과 InGaAsP흡수층(3)과 InGaAsP그레이딩층(4)을 차례로 성장하고 확산을 통하여 pn접합을 형성하는 애벌런치 포토다이오드의 구조에 있어서, InP기판(1)위에 성장한 버퍼층(2)과, 상기 버퍼층(2)위에 성장한 3원계 화합물 반도체층(3)과, 상기 3원계 화합물 반도체층(3)위에 성장한 벤드캡이 서로 다른 2 내지 3개층의 4원계 화합물 반도체층(4)과, 상기 4원계 화합물 반도체층(4) 위에 성장하고 상기 InP기판(1)과 동일한 반도체로 구성된 InP차지 시트층(9)과 상기, InP차지 시트층(9)에서 버퍼층(2)의 일부까지 메사 에칭한 부분위에 상기 기판층(1)과 동일한 반도체로 인위적인 불순물을 첨가하지 않은 층인 InP증폭층(5)과, 상기 InP증폭층(5)위에 확산을 통하여 첨가한 층으로 상기 InP증폭층(5)과 동일한 반도체로 구성된 p+-InP층(6)과, 상기 p+-InP층(6)위에 성장한 무반사막(7)과, 상기 무반사막(7) 사이와 상기 기관층(10)아래에 옴접촉을 위한 금속층(10,11)을 포함하는 것을 특징으로 하는 매립 메사 애벌런치 포토다이오드의 구조

제1항에 있어서, 상기 버퍼층(2)은 상기 InP기판층(1)과 동일한 전기 전도도형을 갖는 것을 특징으로 하는 매립 메사 애벌런치 포토다이오드의 구조

제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층(3)은 밴드캡이 입사되는 광신호의 에너지보다 작으며 상기 기판층(1)과 동일한 전기전도형을 갖고 InGaAsP 화합물 반도체를 사용하는 것을 특징으로 하는 매립 메사 애벌런치 포토다이오드의 구조

제1항에 있어서, 상기 4원계 화합물 반도체층(4)은 상기 기판(1)층과 동일한 격자상수를 갖고 InGaAsP화합물 반도체를 사용하는 것을 특징으로 하는 매립 메사 애벌런치 포토다이오드의 구조

제1항에 있어서, 상기 pn접합의 형성은 InP증폭층(5) p+-InP층(6) 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 매립 메사 애벌런치 포토다이오드의 구조

제1항에 있어서 애벌런치 포토다이오드의 외형부분인 p+-InP층(6)과 무반사막(7)을 메사 에칭하는 것을 특징으로 하는 매립 메사 애벌런치 포토다이오드의 구조

InP기판층(1) 위에 InP버퍼층(2)과 InGaAsP흡수층(3)과 InGaAsP그레이딩층(4)을 차례로 성장하고 확산을 통하여 pn접합을 형성하는 애벌런치 포토다이오드의 제조공정에 있어서, 상기 InGaAsP그레이딩층(4)위에 상기 InGaAsP층의 일부를 차지시트층(9)과 비슷하게 도핑하고 상기 도핑한 윗부분에 원하는 두께의 InP차지시트층(9)을 성장시키는 1차성장과, 상기 InP차지시트층(9)위에 SiNx(12)를 증착시켜 메사 에칭용 보호막을 형성하고 상기 버퍼층(2) 또는 상기 흡수층(3)의 일부까지 메사에칭을 수행하는 단계와, 상기 메사에칭을 수행하는 부분위에 도핑하지 않은 InP증폭층(5)을 재성장하는 단계와, 상기 InP증폭층(5)에 확산 또는 이온주입을 통하여 p-층(6)을 형성하여 p+-n접합을 형성하는 단계와, 또는 상기 InP증폭층(5) 위에 p+-InP층(6)을 직접 성장하는 단계와, 상기 p-층(6)위에 무반사막(7)을 성장하고 실리콘 나이트라이드를 형성하여 음접촉창을 낸다음 p-면을 전극(10)과 n-면 전극(11)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매립 메사 애벌런치 포토다이오드의 제조방법