반도체 소자 제작에서 웨이퍼를 노광시킬 때 사용되는 리소그래피용 반사굴절 결상광학계에 있어서,

광원의 후단에 위치하고, 광원에 의해 조명된 마스크 상의 수차를 보정하는 제 1 렌즈군(20)과;

상기 제 1 렌즈군(20)에서 투과되는 광축을 90도로 굴절시키는 반사경(30)과;

상기 반사경(30)의 후단에 위치하며, 굴절된 광의 수차 보정과 집광 역할을 하는 제 2 렌즈군(40)과;

상기 제 2 렌즈군(40)의 후단에 위치하며, 제 2 렌즈군(40)을 투과하여 입사되는 광원의 편광을 반사시키는 편광선속분할기(50)와;

상기 편광선속분할기(50)의 상부에 위치하며, 반사된 선편광을 원편광으로 변화시켜 투과하고, 다시 원편광을 선편광으로 변화시켜 투과하는 제 1 파장평판(60)과;

상기 제 1 파장평판(60)에서 투과된 원편광을 반사시키는 주반사경(70)과;

상기 제 1 파장평판(60)에서 투과된 선편광을 원편광으로 변화시켜 투과하는 제 2 파장평판(80)과;

상기 제 2 파장평판(80)에서 투과된 원편광을 최종적으로 수차 보정 하고, 마스크의 상 정보를 웨이퍼에 결상시키는 제 3 렌즈군(90)으로 구성된 것을 특징으로 하는 리소그래피용 반사굴절 결상광학계

제 1 항에 있어서,

상기 제 3 렌즈군(90)은, 광학재료가 용융석영인 4장의 렌즈(91, 92, 93, 94)와 광학재료가 CaF2인 1장의 렌즈(95)로 구성된 것을 특징으로 하는 리소그래피용 반사굴절 결상광학계

제 2 항에 있어서,

상기 제 3 렌즈군(90)의 렌즈(95)는 앞면과 뒷면의 곡률반경이 각각 252

제 1 항에 있어서,

상기 편광선속분할기(50)는 2개의 직각 프리즘(51, 52)으로 구성되며 각 프리즘의 크기가 150×150×155(mm)으로 한면의 길이를 다르게 형성한 것을 특징으로 하는 리소그래피용 반사굴절 결상광학계